臻驱科技(上海)有限公司王明阳获国家专利权
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龙图腾网获悉臻驱科技(上海)有限公司申请的专利一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211287278.2，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块是由王明阳;沈捷设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块在说明书摘要公布了：本发明提供了一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块，包括上衬底和下衬底，下衬底上设有直流正极端子，上衬底上设有直流负极端子，直流正极端子与直流负极端子叠合设置；下衬底上设有若干个上桥臂芯片和若干个下桥臂芯片，若干个上桥臂芯片和若干个下桥臂芯片之间设有第一垫块，第一垫块同时连接上衬底和下衬底；上衬底包括上表面金属层、绝缘介质层和下表面金属层，上衬底与下桥臂芯片相对应的位置为镂空区域，镂空区域仅包括下表面金属层；镂空区域贯穿上衬底一端的边缘。
本发明授权一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块，其特征在于，包括上衬底和下衬底，所述下衬底上设有直流正极端子，所述上衬底上设有直流负极端子，所述直流正极端子与所述直流负极端子叠合设置； 所述下衬底上设有若干个上桥臂芯片和若干个下桥臂芯片，所述若干个上桥臂芯片和若干个下桥臂芯片之间设有第一垫块，所述第一垫块同时连接所述上衬底和所述下衬底； 所述上衬底包括上表面金属层、绝缘介质层和下表面金属层，所述上衬底与所述下桥臂芯片相对应的位置为镂空区域，所述镂空区域仅包括所述下表面金属层；所述镂空区域贯穿所述上衬底一端的边缘； 使得：换流回路电流从所述直流正极端子进入所述下衬底、流经所述上桥臂芯片，后进入所述上衬底的所述上表面金属层、并通过所述第一垫块再次流至所述下衬底，接着流经所述下桥臂芯片，后在所述镂空区域进入所述上衬底的所述下表面金属层，并从所述直流负极端子流出所述功率半导体模块。
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