山东大学崔鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种高可靠AlGaN/GaN HEMT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211174959.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种高可靠AlGaN/GaN HEMT及其制备方法是由崔鹏;韩吉胜;徐现刚;徐明升;崔潆心;钟宇设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高可靠AlGaN/GaN HEMT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高可靠AlGaNGaNHEMT及其制备方法，包括SiC衬底、n‑SiC外延层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和P‑GaN冒层，其上方制备有源极、漏极和肖特基接触金属栅极；n‑SiC外延层上还制备有肖特基接触金属电极、n+型SiC离子注入区和欧姆接触金属电极；AlGaNGaNHEMT漏极与SiCSBD欧姆接触电极相连接，AlGaNGaNHEMT源极与SiCSBD肖特基接触电极相连接，形成在片集成。本发明将SiCSBD和AlGaNGaNHEMT集成后，使得AlGaNGaNHEMT具有高可靠、高击穿电压、高集成度、较好的散热性能等性能优势。
本发明授权一种高可靠AlGaN/GaN HEMT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠AlGaNGaNHEMT，其特征在于，包括SiC衬底和生长在SiC衬底上的n-SiC外延层，n-SiC外延层上依次生长有GaN缓冲层、AlN插入层和AlGaN势垒层，所述GaN缓冲层、AlN插入层和AlGaN势垒层形成异质结；AlGaN势垒层上生长有p-GaN帽层，p-GaN帽层两侧制备有AlGaNGaNHEMT欧姆接触金属源极和欧姆接触金属漏极，p-GaN帽层上方为AlGaNGaNHEMT肖特基接触金属栅极；n-SiC外延层上还制备有n+型SiC离子注入区和SiCSBD肖特基接触金属电极，n+型SiC离子注入区上制备有SiCSBD欧姆接触金属电极；AlGaNGaNHEMT欧姆接触漏极与SiCSBD欧姆接触金属电极相连接，AlGaNGaNHEMT欧姆接触源极与SiCSBD肖特基接触金属电极相连接，形成AlGaNGaNHEMT与SiCSBD器件在片集成。
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