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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110775217.X，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图是由李宗翰;刘志拯设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图在说明书摘要公布了：本申请涉及一种灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图，所述方法包括：提供第一有源区图形层，第一有源区图形层包括桥接图形，及沿第一方向间隔且沿桥接图形的中心轴对称设置的第一有源区图形区域、第二有源区图形区域；第一有源区图形区域包括用于限定第一存储单元结构的第一下拉晶体管的第一有源区图形；第二有源区图形区域包括用于限定第二存储单元结构的第二下拉晶体管的第一对称有源区图形；第一有源区图形与第一对称有源区图形相邻且经由所述桥接图形连通，以使得第一下拉晶体管的源极与第二下拉晶体管的源极经由所述桥接图形电连接。本申请减小了相邻器件的有源区之间隔离空间的面积，提高版图上图案形状的均一性。

本发明授权灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图在权利要求书中公布了：1.一种灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，包括： 提供第一有源区图形层，所述第一有源区图形层包括桥接图形，及沿第一方向间隔且沿所述桥接图形的中心轴对称设置的第一有源区图形区域、第二有源区图形区域； 所述第一有源区图形区域用于限定第一存储单元结构，所述第一有源区图形区域包括用于限定所述第一存储单元结构的第一下拉晶体管的第一有源区图形； 所述第二有源区图形区域用于限定第二存储单元结构，所述第二有源区图形区域包括用于限定所述第二存储单元结构的第二下拉晶体管的第一对称有源区图形； 其中，所述第一有源区图形与所述第一对称有源区图形相邻且经由所述桥接图形连通，以使得所述第一下拉晶体管的源极与所述第二下拉晶体管的源极经由所述桥接图形电连接； 于所述第一有源区图形层上形成连接孔图形层； 于所述连接孔图形层远离所述第一有源区图形层的表面形成栅条图形层，其中，所述栅条图形层与所述第一有源区图形层部分交叠并用于形成所述第一下拉晶体管及所述第二下拉晶体管； 所述第一有源区图形区域还包括沿所述第一方向依次间隔设置的第二有源区图形、第三有源区图形及第四有源区图形，其中，所述第二有源区图形与所述第一有源区图形相邻； 所述栅条图形层包括第一栅条图形、第二栅条图形、第三栅条图形及第四栅条图形；其中，所述第一栅条图形和第三栅条图形沿第一方向依次间隔设置，所述第二栅条图形和第四栅条图形沿所述第一方向依次间隔设置；所述第一栅条图形和所述第二栅条图形沿第二方向依次间隔设置，所述第三栅条图形和所述第四栅条图形沿所述第二方向依次间隔设置； 所述第一有源区图形与所述第三栅条图形和所述第四栅条图形分别交叠，所述第二有源区图形与所述第一栅条图形及所述第四栅条图形分别交叠，所述第三有源区图形与所述第一栅条图形及所述第四栅条图形分别交叠，所述第四有源区图形与所述第一栅条图形及所述第二栅条图形分别交叠； 所述第一栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第四有源区图形用于形成第四MOS管，所述第二栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第四有源区图形用于形成第六MOS管，所述第一栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第三有源区图形用于形成第二MOS管，所述第四栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第二有源区图形用于形成第三MOS管，所述第三栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第一有源区图形用于形成第五MOS管，所述第四栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第一有源区图形用于形成第一MOS管。

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