北京航空航天大学刘长波获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种超薄透明的薄膜温度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115615573B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211369773.8，技术领域涉及：G01K7/22；该发明授权一种超薄透明的薄膜温度传感器及其制备方法是由刘长波;孙孟威;邓元设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超薄透明的薄膜温度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超薄透明的薄膜温度传感器，自上而下依次为：上部封装层、电极层、功能材料层、下部封装层、牺牲层和基底，所述上部封装层、所述下部封装层和所述电极层均采用透光材料，所述功能材料层为NTC热敏电阻。本发明采用上述结构的一种超薄透明的薄膜温度传感器及其制备方法，利用先沉积再剥离的方法制备无支撑的薄膜温度传感器，从而充分利用NTC热敏电阻的热敏特性。
本发明授权一种超薄透明的薄膜温度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄透明的薄膜温度传感器的制备方法，其特征在于：所述超薄透明的薄膜温度传感器自上而下依次为：上部封装层、电极层、功能材料层、下部封装层、牺牲层和基底，所述上部封装层、所述下部封装层和所述电极层均采用透光材料，所述功能材料层为NTC热敏电阻，所述NTC热敏电阻的透光率大于50％；所述电极层采用叉指电极，所述叉指电极与焊盘相连接；所述牺牲层的材料采用铝酸锶、砷化铝、氧化硅、氧化锗、氮化硅、镍、铜、锌、铝或镁中的一种；所述上部封装层和所述下部封装层的材料采用氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硼、碳化硅或氧化锆中的一种或几种； 所述超薄透明的薄膜温度传感器的制备方法，步骤如下： S1、在基底上通过薄膜沉积法得到牺牲层； S2、在牺牲层上通过薄膜沉积法制备透光性良好的下部封装层； S3、在下部封装层上采用薄膜沉积法或溶胶凝胶法图案化制备NTC热敏电阻以得到功能材料层，对加装了功能材料层的器件进行高温退火处理以提高稳定性； S4、利用薄膜沉积法制备透光性良好的叉指电极和焊盘； S5、利用薄膜沉积法制备透光性良好的上部封装层，用来保护功能层； S6、利用刻蚀剂溶解牺牲层，将薄膜温度传感器从基底上剥离，得到无支撑的超薄透明的薄膜温度传感器。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学，其通讯地址为：100191 北京市海淀区学院路37号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励