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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115668512B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180035827.4，技术领域涉及：H10D30/87；该发明授权半导体装置是由中村茉里香;宇佐美茂佳;滝口雄贵;山田高宽;斋藤尚史;绵引达郎;柳生荣治设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供耐压高的晶体管。在第1方向上层叠第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层。第1以及第2氮化物半导体层形成异质结，在第1氮化物半导体层引起二维载流子气。漏极电极在第3方向上隔着栅极电极与源极电极对置。源极电极以及漏极电极与第1氮化物半导体层导通。第1以及第2氮化物半导体层与栅极电极8形成肖特基结。第1层在第3方向上位于栅极电极与漏极电极之间且与栅极电极接触，在第2方向上与第2氮化物半导体层接触。第1层是绝缘体、本征半导体、具有与第2氮化物半导体层相反的导电类型的半导体中的任意物体，抑制在第1方向上与第1层对置的第1氮化物半导体层引起二维载流子气。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体层群，具有在第1方向上层叠的第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层； 多个栅极电极，分别在与所述第1方向不同的第2方向上与所述第2氮化物半导体层接触，沿着所述第2方向排列； 导体，将所述多个栅极电极彼此电连接，位于离开所述半导体层群的位置； 源极电极，在与所述第1方向以及所述第2方向都不同的第3方向上与所述多个栅极电极对置，与所述第1氮化物半导体层导通； 漏极电极，在所述第3方向上隔着所述多个栅极电极与所述源极电极对置，与所述第1氮化物半导体层导通；以及 第1层，在所述第3方向上位于所述多个栅极电极与所述漏极电极之间且与所述多个栅极电极接触，在所述第2方向上与所述第2氮化物半导体层接触， 所述第1氮化物半导体层和所述第2氮化物半导体层形成异质结，在所述第1氮化物半导体层引起二维载流子气， 所述第1氮化物半导体层以及所述第2氮化物半导体层与所述多个栅极电极的各个栅极电极形成肖特基结， 所述第1层是绝缘体、本征半导体、具有与所述第2氮化物半导体层相反的导电类型的半导体中的任意者，抑制在所述第1方向上与所述第1层对置的所述第1氮化物半导体层引起所述二维载流子气。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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