天津三安光电有限公司吴志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉天津三安光电有限公司申请的专利一种倒装发光元件及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211445114.8，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种倒装发光元件及发光装置是由吴志伟;王燕云;熊伟平;高迪;郭桓邵;彭钰仁设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装发光元件及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种倒装发光元件及发光装置，形成有电连接第一导电类型的半导体层的第一接触电极和电连接第二导电类型的半导体层的第二接触电极，其中，第二接触电极呈阵列式分布，优选地，分布在以第一接触电极为圆心的至少一个同心圆上。电流可以通过第一接触电极P接触电极电连接P型外延层，并被P型外延层均匀分散开，有效改善电流扩展不均的问题，使得电流均匀扩展至P型外延层。另外，点阵式的PN接触电极设计，一方面可以减少由于设置第一接触电极造成的有效发光区浪费；另一方面减少了接触电极与外延层的欧姆接触界面面积，有效提升了电流扩展能力，提高了芯片的发光效率。
本发明授权一种倒装发光元件及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种倒装发光元件，其特征在于，包括： 透明衬底； 形成在所述透明衬底上的外延结构，所述外延结构包括自下而上依次叠置的第一导电类型的半导体层、有源层及第二导电类型的半导体层； 透明介质层，形成在所述外延结构的表面，所述透明介质层中形成有电连接所述第一导电类型的半导体层的第一接触电极，以及电连接所述第二导电类型的半导体层的第二接触电极； 金属反射层，形成在所述透明介质层上方； 第一绝缘保护层，形成在所述金属反射层的表面及所述外延结构的侧壁上； 焊盘区域，位于所述第一绝缘保护层上方，所述焊盘区域形成有电连接所述第一导电类型的半导体层的第一焊盘，以及电连接所述第二导电类型的半导体层的第二焊盘； 其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极呈阵列式分布，并且在所述第一焊盘对应的区域，所述第二接触电极分布在以所述第一接触电极为圆心的至少一个同心圆环上。
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