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龙图腾网获悉上海精密计量测试研究所申请的专利一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115900985B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211113585.9，技术领域涉及：G01K7/02；该发明授权一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法是由陈凡;楼建设;刘大鹏;刘寅傲;王兰来设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法，其特征在于，包括下述步骤：S1，制备三种封装结构的LED器件，LED器件I芯片裸露，LED器件II芯片表面覆盖硅胶，LED器件III芯片表面覆盖荧光胶；S2，与三种器件对应分别建立三种光学和热学结构不同的模型；S3，积分球分别测试LED器件II和LED器件III的光辐射功率，分别获得LED器件III的芯片发热功率和荧光胶发热功率；S4：使用瞬态热阻法测试三种器件的芯片结温和芯片PN结‑环境整体热阻；S5，根据结构差异法，获得LED器件III的荧光胶最高温度。本发明获得LED器件III的荧光胶最高温度，解决了传统方法无法测试LED芯片表面荧光胶最高温度的不足，避免了荧光胶温度过高对LED发光效率和封装可靠性的影响。

本发明授权一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法在权利要求书中公布了：1.一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法，其特征在于，包括下述步骤：S1，制备三种封装结构的LED器件，LED器件I芯片裸露，LED器件II芯片表面覆盖硅胶，LED器件III芯片表面覆盖荧光胶；S2，与三种器件对应分别建立三种光学和热学结构不同的模型，其中，LED器件III荧光胶热阻Ryg等于LED器件II硅胶热阻Rgj，LED器件III的芯片PN结-基板-环境热阻Rjsa3与LED器件I的芯片PN结-基板-环境热阻Rjsa1相同；S3，积分球分别测试LED器件II和LED器件III的光辐射功率，利用两种器件的结构差异分别获得LED器件III的芯片发热功率Pchip和荧光胶发热功率Pyg-j；S4：使用瞬态热阻法测试三种器件的芯片结温和芯片PN结-环境整体热阻；S5，根据结构差异法，根据步骤S2建立的模型代入步骤S3和S4得到的数据获得LED器件III的荧光胶最高温度Tyg。

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