湖南三安半导体有限责任公司张磊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211485788.0，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权半导体器件及其制备方法是由张磊;柴亚玲;陶永洪设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本披露公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件，包括：衬底；外延层，设置在衬底上；第一钝化介质层，设置在外延层上；第二钝化介质层，设置在外延层上且与第一钝化介质层并排设置，第一钝化介质层、第二钝化介质层和外延层之间被配置为用于容纳金属电极的第一凹陷区；金属电极，设置外延层上且在第一凹陷区内，金属电极的上表面与第一钝化介质层和第二钝化介质层的上表面平齐。该半导体器件的钝化介质层的弯折很小，分散了弯曲带来的剪切应力，从而有效降低了半导体器件在升温降温过程中开裂的概率，保障了半导体器件的质量，同时有效防止了钝化介质层开裂所导致的封装材料对芯片湿气保护能力丧失的问题。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底1； 外延层2，设置在所述衬底1上； 第一钝化介质层3，设置在所述外延层2上； 第二钝化介质层4，设置在所述外延层2上且与所述第一钝化介质层3并排设置，所述第一钝化介质层3、所述第二钝化介质层4和所述外延层2之间被配置为用于容纳金属电极的第一凹陷区； 金属电极5，设置所述外延层2上且在所述第一凹陷区内，所述金属电极5的上表面与所述第一钝化介质层3和所述第二钝化介质层4的上表面平齐， 其中，所述金属电极与所述外延层之间为肖特基接触； 所述半导体器件还包括： 设置在所述外延层2与所述金属电极5之间的欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层被配置为预设欧姆接触图形。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市长沙高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励