华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211515371.4，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用是由李国强;吴昌桐;曹犇;邢志恒;吴能滔设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用。本发明的肖特基势垒二极管的组成包括依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，还包括第一钝化层、第二钝化层、阴极金属电极、第一阳极金属场板、第三钝化层、第二阳极金属场板和阳极金属电极。本发明的肖特基势垒二极管具有瞬变耐受性较高、耐压和抗击穿性能强、可靠性高等优点，适合进行大规模推广应用。
本发明授权一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，组成包括依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，还包括第一钝化层、第二钝化层、阴极金属电极、第一阳极金属场板、第三钝化层、第二阳极金属场板和阳极金属电极； 所述第一钝化层设置在AlN成核层远离Si衬底的那面，且与GaN缓冲层接触； 所述第二钝化层呈L型，一条边覆盖在AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的那面，另一条边与GaN缓冲层接触； 所述阴极金属电极设置在AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的那面，且与第二钝化层和第三钝化层均有接触； 所述第一阳极金属场板呈L型，覆盖在第二钝化层的拐角处，且与GaN缓冲层接触； 所述第三钝化层呈L型，覆盖第二钝化层和第一阳极金属场板，且与GaN缓冲层和第一钝化层均有接触； 所述第二阳极金属场板呈L型，覆盖在第三钝化层的拐角处，且与第一钝化层接触； 所述阳极金属电极依次贯穿第二阳极金属场板、第三钝化层、第一阳极金属场板、第二钝化层和AlGaN势垒层，且与GaN缓冲层接触。
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