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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种降低同步磁阻电机转矩脉动的转子获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115955028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310060952.1，技术领域涉及：H02K1/22；该发明授权一种降低同步磁阻电机转矩脉动的转子是由王亚玮;李宣;程宇航;曲荣海设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低同步磁阻电机转矩脉动的转子在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低同步磁阻电机转矩脉动的转子，属于同步磁阻电机技术领域。转子由同一冲片形成的第一叠片和第二叠片组合而成，每极下有多层磁障，对于第一叠片，转子在q轴左侧的外层和内层磁障尾端相对于另一侧分别偏移Δθ1和Δθ2的角度；通过将第一叠片水平翻转180度，得到第二叠片，其单极下磁障形状与第一叠片相比关于q轴镜像对称，两种叠片相同次数的转矩谐波幅值与相位不同，以一定的比例叠加组合可使得同步磁阻电机具有较大平均转矩的同时降低转矩脉动。本发明可以实现特定次数转矩谐波的抑制，降低电机的转矩脉动。本发明对于提高同步磁阻电机的性能及其拓展应用具有重要意义。

本发明授权一种降低同步磁阻电机转矩脉动的转子在权利要求书中公布了：1.一种降低同步磁阻电机转矩脉动的转子，所述转子的冲片开有多组孔槽，每组孔槽所在的区域形成磁极，所述孔槽为磁障，所述转子的冲片为不对称结构，不对称结构包括同一冲片形成的N1个第一叠片和N2个第二叠片，所述第一叠片的每个磁极的磁障关于磁极轴线不对称和磁极轴线的延长线相交于一点，第二叠片和第一叠片的单极下磁障形状关于q轴镜像对称，其特征在于，每个磁极下的磁障包括外侧磁障和内侧磁障，外层磁障q轴两侧角度分别为θ1和θ1'，内层磁障q轴两侧角度分别为θ2和θ2'，其中，Δθ1＝|θ1′-θ1|，Δθ2＝|θ2′-θ2|； 建立同步磁阻电机的等效磁路模型如下： 其中，D为转子外径，Lstk为电机叠长，g为气隙长度，p为转子极对数，Kν为ν次线电流密度幅值，tblb1和tblb2分别为外层磁障和内层磁障等效的宽度和长度的比值，αi为电流相位角； 基于理论模型得到电机转矩性能与磁障尾端角度的关系，通过优化得到输出转矩较高且转矩脉动较低的角度组合θ1，θ2，θ1'和θ2'。

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