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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111205151.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件的制造方法是由刘轶群设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制造方法。可以先对MOS区中各栅极结构两侧的衬底进行刻蚀，以形成用于形成源极和漏极的第一源漏沟槽，然后，再在所述第一源漏沟槽中先沉积一次源漏材料，以形成源漏外延层，然后，再在衬底上形成介质层，再刻蚀介质层，从而使刻蚀后的介质层仅作为短沟道器件的阻挡层，再采用第二次源漏材料沉积工艺，将长沟道器件的第一源漏沟槽填满，从而避免了图形效应影响，在短沟道器件和长沟道器件的源极和漏极完整形成源漏外延层。本发明在短沟和长沟器件源漏沟槽分次生长外延材料，因不需要调节外延生长的参数，保证了外延浓度不受影响；并且，不需要增加掩模层，节省了集成成本，降低复杂度，避免了由增加掩模层产生的缺陷。

本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括MOS区导电类型相同且沟道长度不同的第一长沟道和第一短沟道； 刻蚀所述半导体衬底，以分别在所述第一长沟道和所述第一短沟道中形成第一源漏沟槽； 在各个所述第一源漏沟槽中同步进行第一源漏材料外延生长，以形成第一源漏外延层，所述第一源漏外延层填满所述第一短沟道的第一源漏沟槽但未填满所述第一长沟道的第一源漏沟槽； 在所述半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层对所述第一短沟道中的第一源漏外延层全面覆盖，但仍未填满所述第一长沟道的第一源漏沟槽； 刻蚀所述第一介质层，以去除覆盖在所述第一长沟道中的所有第一介质层，并同时去除覆盖在所述第一短沟道中的第一源漏外延层表面上的部分第一介质层，以使剩余的第一介质层仍全面覆盖所述第一短沟道中的第一源漏外延层； 在所述第一长沟道的第一源漏沟槽中进行第二源漏材料外延生长，以形成第二源漏外延层，所述第二源漏外延层填满所述第一长沟道的第一源漏沟槽； 刻蚀所述剩余的第一介质层，以至少重新暴露出所述第一短沟道中的第一源漏外延层。

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