上海集成电路研发中心有限公司张才荣获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利静电防护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310149136.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电防护器件是由张才荣设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电防护器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种静电防护器件。该静电防护器件包括：N型外延区、N型缓冲区和P型体区；N型缓冲区和P型体区分别相对内嵌于N型外延区上表面的两侧，N型缓冲区上设置的金属阳极与电路接口连接，N型外延区和或P型体区上设置有金属阴极；N型缓冲区的上表面内嵌有第一N+区和第一P+区，N型外延区位于N型缓冲区和P型体区之间的上表面，内嵌有第二P+区和第二N+区，P型体区的上表面内嵌有第三N+区和第三P+区；第二N+区与第三N+区之间设置有薄栅氧层，薄栅氧层位于N型外延区和P型体区上表面的连接处上；薄栅氧层上还覆设有栅极，第二P+区、第二N+区和栅极之间电连接。本申请可以降低静电防护器件的触发电压。
本发明授权静电防护器件在权利要求书中公布了：1.一种静电防护器件，其特征在于，包括：N型外延区、N型缓冲区和P型体区； 所述N型缓冲区和P型体区分别相对内嵌于所述N型外延区的上表面的两侧，所述N型缓冲区上设置的金属阳极与电路接口连接，所述N型外延区和或P型体区上设置有金属阴极； 所述N型缓冲区的上表面内嵌有第一N+区和第一P+区，所述N型外延区位于所述N型缓冲区和P型体区之间的上表面，内嵌有第二P+区和第二N+区，所述P型体区的上表面内嵌有第三N+区和第三P+区； 所述第二N+区与所述第三N+区之间设置有薄栅氧层，所述薄栅氧层位于所述N型外延区和所述P型体区上表面的连接处上；所述薄栅氧层上还覆设有栅极，所述第二P+区、所述第二N+区和所述栅极之间电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路研发中心有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励