国家纳米科学中心开媛获国家专利权
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龙图腾网获悉国家纳米科学中心申请的专利热电子晶体管及其制备方法、肖特基势垒高度提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211574769.5，技术领域涉及：H10D10/40；该发明授权热电子晶体管及其制备方法、肖特基势垒高度提取方法是由开媛;江潮设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本热电子晶体管及其制备方法、肖特基势垒高度提取方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种热电子晶体管及其制备方法、肖特基势垒高度提取方法，热电子晶体管包括发射极、基极及集电极，在发射极与基极之间设置有隧穿势垒层，在基极与集电极之间设置有无机半导体层。本发明的热电子晶体管在发射极与基极之间设置有隧穿势垒层，在基极与集电极之间设置有无机半导体层，本发明利用隧穿势垒层隔断发射极和基极，达到了精准控制隧穿势垒层厚度的效果。与传统制备肖特基二极管以及肖特基薄膜晶体管的方法相比，这样的热电子晶体管采用热电子能谱的方法提取铟镓锌氧化合物无机半导体层与金属基极的肖特基势垒，考虑到了界面态和体电阻对势垒高度的影响，得到的结果也更为准确。
本发明授权热电子晶体管及其制备方法、肖特基势垒高度提取方法在权利要求书中公布了：1.一种热电子晶体管，其特征在于，包括发射极、基极及集电极，在所述发射极与所述基极之间设置有隧穿势垒层，在所述基极与所述集电极之间设置有无机半导体层； 所述发射极为金属铝；所述隧穿势垒层为氧化铝层；所述基极为金属金；所述无机半导体层为铟镓锌氧化合物半导体层；所述集电极为钛金合金或铝。
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