苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利全彩LED外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116097458B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103955.3，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权全彩LED外延结构是由程凯设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本全彩LED外延结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种全彩LED外延结构，利用对应于衬底的一个单元区的各柱状物面积占比大小不同，从而生长发光层时各柱状物周围的反应气体的流速不同，生长的发光层中各元素的掺入效率不同，进而使得生长的发光层中各元素的组分占比不同，LED的发光波长不同。上述工艺简单，能在一个衬底上制作可用于全彩LED的半导体结构，仅通过调整柱状物的面积占比，来调整发光层的组分占比，从而调整LED的发光波长，减小了全彩LED的制备工序。
本发明授权全彩LED外延结构在权利要求书中公布了：1.一种全彩LED外延结构，其特征在于，包括： 衬底10，所述衬底10的表面包括若干周期排列的单元区11，每一所述单元区11包括n个子单元区11a，n为大于等于2的正整数； 多个柱状物12，每一所述柱状物12对应分布于每一所述子单元区11a中； 依次形成在所述柱状物12上表面的发光层14以及第二类型的半导体层15，所述柱状物12中包含与所述第二类型的半导体层15导电类型相反的第一类型的半导体层13，且所述第一类型的半导体层13与所述发光层14相互接触，所述发光层14包括掺杂元素； 其中，每一所述单元区11对应的n个所述柱状物12的面积占比中至少存在一个所述柱状物12的面积占比与其他n-1个所述柱状物12的面积占比不同，以调整所述发光层14中所述掺杂元素的组分占比，其中，所述柱状物12的面积占比为所述柱状物12的水平横截面积与之对应的所述子单元区11a的面积之间的比值。
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