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龙图腾网获悉成都视海芯图微电子有限公司申请的专利一种DRAM存储系统性能模型的建模方法、终端及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116107857B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310163040.7，技术领域涉及：G06F11/34；该发明授权一种DRAM存储系统性能模型的建模方法、终端及介质是由陈浩;宋莉莉;张祥建设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种DRAM存储系统性能模型的建模方法、终端及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种DRAM存储系统性能模型的建模方法，方法包括：搭建最小访问系统；构造访存场景进行仿真，计算出访存场景下的利用率，整理生成利用率查找表；对查找表中的利用率进行建模做函数拟合，计算出函数系数，得到利用率与访存自变量的关系式；在访存场景下改变访存自变量，重新仿真得到新的利用率，利用新利用率进行建模做函数拟合处理，得到新的利用率与访存自变量的关系式，重复执行函数拟合得到多个自变量的利用率函数，预测真实访存场景时，采用利用率函数计算出多个预测利用率，把最小的利用率作为预测读或写利用率；根据理论性能除以预测读或写利用率得到访存场景下的预测性能值。该建模方法简单、快速且准确、适应性强。

本发明授权一种DRAM存储系统性能模型的建模方法、终端及介质在权利要求书中公布了：1.一种DRAM存储系统性能模型的建模方法，其特征在于，包括： S1:搭建含有访存逻辑、总线、DRAM控制器和phy颗粒模型的最小访问系统； S2:根据修改访存事务生成逻辑和控制总线接口信号的数值以构造访存场景进行仿真，所述访存场景下影响访存性能的因素为访存自变量，所述访存场景为只读场景； S3:计算出只读场景下的第一利用率，整理生成第一利用率查找表，对第一利用率进行建模做函数拟合，计算出第一函数系数，得到第一利用率与访存自变量的关系式；所述访存自变量包括访存方向、访存首地址、突发长度和访存地址跳跃距离； S4:在只读场景下改变访存自变量，重新仿真得到第二利用率，整理生成第二利用率查找表，对第二利用率进行建模做函数拟合，计算出第二函数系数，得到第二利用率与访存自变量的关系式； S5:重复执行步骤S4，得到多个不同访存自变量的利用率函数； S6：在预测真实访存场景时，利用所述多个不同访存自变量的利用率函数计算出多个预测利用率，将得到的多个预测利用率进行比较，把最小的利用率作为预测读利用率； S7:根据理论性能除以预测读利用率得到只读场景下的预测性能值。

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