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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种9T存算电路、乘累加运算电路、存内运算电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116126779B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310159746.6，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权一种9T存算电路、乘累加运算电路、存内运算电路及芯片是由吴秀龙;李子健;蔺智挺;彭春雨;卢文娟设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种9T存算电路、乘累加运算电路、存内运算电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种读裕度增强型存储阵列，一种9T存算电路、一种乘累加运算电路、基于9Tsram的存内运算电路，以及基于9Tsram的CIM芯片。其中，9T存算电路包括基础的的6T存储单元和由额外的三个NMOS管N5、N6、N7构成计算单元；乘累加运算电路是在前述9T存算电路的基础上进一步设计得到的，乘累加运算电路根据功能划分大致包括计算阵列、电流镜电路、输入电路、电流监测阵列，以及输出电路。基于乘累加运算电路的新架构和传统的SRAM电路，本发明还提供一种基于9Tsram的存内运算电路，CIM电路具有数据读写、保持功能和乘累加运算功能。本发明解决了6Tsram仅具有数据存储功能，以及现有乘累加运算电路的操作逻辑复杂，运算效率低等问题。

本发明授权一种9T存算电路、乘累加运算电路、存内运算电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种9T存算电路，其用于作为大规模存内运算电路的基础功能单元，所述9T存算电路具有基础的数据读、写、保持功能，以及乘法运算功能；其特征在于：所述9T存算电路由2个PMOS管P1、P2，以及7个NMOS管N1～N7构成，按照功能划分，所述9T存算电路包括6T存储单元和计算单元；其中，P1、P2、N1、N2、N3、N4构成6T存储单元；所述6T存储单元用于存储数据，Q和QB为6T存储单元中的一对反向存储节点；N5、N6、N7构成计算单元；所述计算单元用于和所述6T存储单元共同构成实现乘法运算的基本单元； 所述计算单元的电路连接关系如下：N5的栅极连接着存储节点Q，N7的栅极连接着存储节点QB；N5的源极、N7的漏极和N6的栅极相连，N5和N6的漏极相连并接入计算线CL；N7的源极接地，N6的源极接输入信号IN的反相信号NIN； 9T存算电路实现乘法运算的操作逻辑为： 开启字线WL，并通过位线BL和BLB在数据写模式下向9T存算电路的存储节点Q写入第一操作数； 在计算模式下向计算线CL灌入电流信号I，并通过N6的源极向9T存算电路输入第二操作数IN的反向信号NIN；IN的高电平状态代表第二操作数为1，IN的低电平状态代表第二操作数为0； 然后检测计算线CL是否存在向N5和N6的漏极流入的电流信号，将CL与9T存算电路间的电流导通标识IF作为乘法运算的计算结果，即IF＝Q×IN。

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