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龙图腾网获悉福建华佳彩有限公司申请的专利一种减小寄生电容couple影响的阵列基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130493B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310082097.4，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种减小寄生电容couple影响的阵列基板及其制作方法是由毛清平设计研发完成，并于2023-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减小寄生电容couple影响的阵列基板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及显示器技术领域，提供一种减小寄生电容couple影响的阵列基板及其制作方法，包括：玻璃衬底；第一金属层，形成了间隔分布的栅极、第一CK信号走线与第三CK信号走线；栅绝缘层，镀在玻璃衬底与第一金属层的上表面；画素电极；第一电极块；第二电极块；第三电极块；有源层；第二金属层，形成了间隔分布的源极、漏极与第一信号连接线；钝化层，镀在栅绝缘层、有源层、第二金属层、画素电极的上表面；导电层，镀在钝化层的上表面；遮光金属层，镀在钝化层的上表面。本发明的优点在于：导电层的电位高低与栅极的电位高低相反，栅极对于漏极的耦合效应和导电层对于漏极的耦合效应相互抵消，减小寄生电容couple影响，从而减小Feedthrough电压。

本发明授权一种减小寄生电容couple影响的阵列基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种减小寄生电容couple影响的阵列基板，其特征在于，包括： 玻璃衬底； 第一金属层，镀在所述玻璃衬底的上表面，形成了间隔分布的栅极、第一CK信号走线与第三CK信号走线，所述第一CK信号走线的电位高低与所述第三CK信号走线的电位高低相反； 栅绝缘层，镀在所述玻璃衬底与所述第一金属层的上表面，所述栅绝缘层开设有第一挖孔、第二挖孔与第三挖孔，所述栅极露出于所述第一挖孔，所述第一CK信号走线露出于所述第二挖孔，所述第三CK信号走线露出于所述第三挖孔； 画素电极，镀在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述栅极的侧方； 第一电极块，镀在所述第一挖孔，还与所述栅极连接； 第二电极块，镀在所述第二挖孔，还与所述第一CK信号走线连接； 第三电极块，镀在所述第三挖孔，还与所述第三CK信号走线连接； 所述第一电极块、第二电极块、第三电极块与所述画素电极的材料相同； 有源层，镀在栅极绝缘层的上表面，还位于所述栅极的正上方； 第二金属层，镀在所述栅绝缘层的上表面，形成了间隔分布的源极、漏极与第一信号连接线，所述源极与所述有源层的左端连接，所述漏极与所述有源层的右端连接，所述漏极还与所述画素电极连接，所述第一信号连接线的右端与所述第一电极块连接，所述第一信号连接线的左端与所述第二电极块连接； 钝化层，镀在所述栅绝缘层、有源层、第二金属层、画素电极的上表面，所述钝化层开设有第四挖孔，所述第三电极块露出于所述第四挖孔； 导电层，镀在所述钝化层的上表面，还位于所述漏极的正上方，所述钝化层的上表面还镀有第二信号连接线，所述导电层与所述第二信号连接线的右端连接，所述第二信号连接线的左端穿过所述第四挖孔与所述第三电极块连接； 遮光金属层，镀在所述钝化层的上表面，还位于所述有源层的沟道正上方，所述遮光金属层与所述导电层、第二信号连接线间隔设置； 所述遮光金属层、导电层、第二信号连接线与所述第一金属层的材料相同。

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