弗萨姆材料美国有限责任公司F·G·布朗获国家专利权
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龙图腾网获悉弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利环硅氧烷和由其制备的膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116157552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180053299.5，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权环硅氧烷和由其制备的膜是由F·G·布朗;R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韦;萧满超;S·K·拉加拉曼;D·P·思朋斯设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本环硅氧烷和由其制备的膜在说明书摘要公布了：公开了可用于通过等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺将低介电常数低k绝缘材料沉积到半导体器件的高纵横比间隙、沟槽、通孔和其它表面特征中的组合物。所述组合物可包含衍生自三甲基环三硅氧烷、四甲基环四硅氧烷或五甲基环五硅氧烷的烷氧基官能化的环硅氧烷。烷氧基官能化可包含1至10个碳原子。还公开了通过PECVD工艺沉积烷氧基官能化的环硅氧烷组合物的方法。最后，公开了在衬底上的包含可流动液体或低聚物的膜，其包含低聚或多聚的烷氧基官能化的环硅氧烷组合物。
本发明授权环硅氧烷和由其制备的膜在权利要求书中公布了：1.一种用于通过可流动化学气相沉积工艺沉积含硅膜的组合物，其包含： 式A、B或C表示的烷氧基官能化的环硅氧烷化合物， 其中R1是具有1至10个碳原子的烷氧基； 其中R2是H，或是具有1至10个碳原子的烷氧基；以及 其中R3是H，或是具有1至10个碳原子的烷氧基。
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