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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种存储芯片的电压调节装置、方法及存储芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116166076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111407322.4，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种存储芯片的电压调节装置、方法及存储芯片是由方伟设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储芯片的电压调节装置、方法及存储芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种存储芯片的电压调节装置、方法及存储芯片，包括：反馈电路，第一电阻，第二电阻和电压调节元件，反馈电路中的反馈电路开关与存储芯片的位元阵列中对应的位元被同步选通、关断，从而将位元被选通时由位元位置对应的走线电阻通过反馈电路反馈到电压调节元件，使得电压调节元件能够根据反馈电路调节输出电压，使得各位元被选通时的电压保持一致，消除了远端位元电压不足导致读写失败而近端位元电压过高导致寿命降低的矛盾，提高了位元阵列的写读良率；且相较于现有技术中采用采样电路采样后再确定补偿方案节省了芯片面积，能够更快、更高精度的对存储芯片上各位元进行电压调节。

本发明授权一种存储芯片的电压调节装置、方法及存储芯片在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片的电压调节装置，其特征在于，包括：反馈电路，第一电阻，第二电阻和电压调节元件； 其中，所述电压调节元件的正相输入端用于接收参考电压，存储芯片的位元阵列的供电端与所述电压调节元件的输出端连接，所述反馈电路与所述第一电阻串联于所述电压调节元件的输出端与所述电压调节元件的负相输入端之间，所述第二电阻串联于所述电压调节元件的负相输入端与地之间； 所述反馈电路为由多个反馈电阻和多个反馈电路开关构成的反馈电阻阵列结构；所述反馈电路开关与所述位元阵列中的位元对应设置；所述反馈电路开关与对应的所述位元被同步选通、同步关断，以同步改变各所述反馈电阻的连接关系进而同步改变所述反馈电路的总阻值； 若所述位元阵列具体为二维阵列，则所述位元阵列的选通信号线具体包括横坐标方向的x+1条位线和纵坐标方向的y+1条字线； 自所述第一电阻的第二端起，按所述位线自所述电压调节元件的输出端起的排布顺序，各所述位线对应的所述反馈电路开关依次连接于两条金属线之间，且各所述反馈电路开关的控制端与对应的所述位线的位线选通开关的控制端对应连接； 自所述第二电阻的第一端起，按所述字线自所述电压调节元件的输出端起的排布顺序，各所述字线对应的所述反馈电路开关依次连接于两条所述金属线之间，且各所述反馈电路开关的控制端与对应的所述字线连接； 其中，x、y均为正整数。

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