华中科技大学王健获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种超低插损非易失光子神经突触器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116205280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211716967.0，技术领域涉及：G06N3/067；该发明授权一种超低插损非易失光子神经突触器件是由王健;权志强设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超低插损非易失光子神经突触器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超低插损非易失光子神经突触器件，属于光计算领域。包括衬底、布拉格光栅、加热区，布拉格光栅由相变材料和波导共同组成，相变材料周期排布于波导内部，加热区位于布拉格光栅外侧，其面积覆盖相变材料与波导，波导中的基模在经过布拉格光栅时发生周期性反射，其中满足相位匹配条件的基模可以实现低损耗传输，调节布拉格光栅中相变材料的结晶程度实现对波导透射率的调制，进一步通过布拉格光栅中相变材料的周期、占空比以及调制区域的长度以实现在不同相态晶态，非晶态下器件拥有最大的归一化强度输出范围。
本发明授权一种超低插损非易失光子神经突触器件在权利要求书中公布了：1.一种超低插损非易失光子神经突触器件，其特征在于，包括衬底、布拉格光栅、加热区，所述布拉格光栅设置于衬底的上方，所述布拉格光栅由相变材料和波导共同组成，相变材料为GSST、Sb2Se3，相变材料周期排布于波导内部，所述加热区位于布拉格光栅外侧，面积覆盖其中的相变材料与波导，加热区的加热方式包括ITO电加热、离子注入电加热；波导中的基模在经过布拉格光栅时发生周期性反射，其中满足相位匹配条件的基模实现低损耗传输。
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