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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种锗硅HBT发射区-基区结构的制作方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310311056.8，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权一种锗硅HBT发射区-基区结构的制作方法及结构是由易孝辉;张培健;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;罗婷;张静设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锗硅HBT发射区-基区结构的制作方法及结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种锗硅HBT发射区‑基区结构的制作方法及结构，所述方法包括：提供基区叠层；在所述基区叠层上氧化物牺牲层，并制作接触孔贯穿所述氧化物牺牲层；在所述氧化物牺牲层的接触孔处依次形成氮化物保护层、氧化物保护层以及发射区，其中所述发射区通过所述接触孔与所述基区叠层接触，所述氮化物保护层和所述氧化物保护层形成包裹所述发射区顶部和侧面的包裹结构，所述发射区顶部为所述发射区背离所述基区叠层的一侧；去除所述氧化物牺牲层和所述氮化物牺牲层，在所述基区叠层设置有所述发射区的一侧形成外基区。本申请突破光刻精度的限制缩小发射区尺寸。

本发明授权一种锗硅HBT发射区-基区结构的制作方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种锗硅HBT发射区-基区结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基区叠层； 在所述基区叠层上氧化物牺牲层，并制作接触孔贯穿所述氧化物牺牲层； 在所述氧化物牺牲层的接触孔处依次形成氮化物保护层、氧化物保护层以及发射区，其中所述发射区通过所述接触孔与所述基区叠层接触，所述氮化物保护层和所述氧化物保护层形成包裹所述发射区顶部和侧面的包裹结构，所述发射区顶部为所述发射区背离所述基区叠层的一侧；所述氧化物牺牲层的厚度在200埃至1200埃之间；在所述氧化物牺牲层的接触孔处依次形成氮化物保护层、氧化物保护层以及发射区，包括：在所述氧化物牺牲层背离所述基区叠层的一侧依次形成第一氮化物子层和第一氧化物子层；在所述接触孔的侧壁依次形成第一氮化物侧墙和第一氧化物侧墙，其中所述第一氮化物侧墙与所述第一氮化物子层连接，所述第一氧化物侧墙与所述第一氧化物子层连接；在所述第一氧化物侧墙的基础上形成所述发射区；在所述发射区的顶部依次形成第二氧化物子层和第二氮化物子层；依次蚀刻所述第二氮化物子层、第二氧化物子层、发射区、第一氧化物子层和第一氮化物子层沿所述接触孔周向的部分区域；在所述发射区的侧面由所述发射区向外依次形成第二氧化物侧墙和第二氮化物侧墙，其中所述第一氧化物子层、所述第一氧化物侧墙、所述第二氧化物子层和所述第二氧化物侧墙连通形成所述氧化物保护层，所述第一氮化物子层、所述第一氮化物侧墙、所述第二氮化物子层和所述第二氮化物侧墙连通形成所述氮化物保护层 去除所述氧化物牺牲层和所述氮化物保护层，在所述基区叠层设置有所述发射区的一侧形成外基区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第二十四研究所，其通讯地址为：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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