中国电子科技集团公司第二十四研究所张培健获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310230132.2，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法是由张培健;易孝辉;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;朱坤峰;谭开州;罗婷;张静;徐学良;付晓君;王鹏设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，本发明采用赝埋层、基极接触面呈楔形和镍硅工艺，在衬底中形成赝埋层，在衬底的正面形成基极，基极的第一基区和第二基区接触面为楔形，在第一基区上形成楔形介电结构为侧面的沟槽，以楔形介电结构为掩膜进行离子注入，在第一基区的底部和赝埋层的顶部形成集电极，以介电结构为侧面的沟槽中形成发射极，采用镍硅工艺在发射极、基极及集电极形成欧姆接触的金属层。本发明在第一基区和第二基区采用楔形连接，增加了接触面积，减小基极电阻，通过在衬底中形成赝埋层以及镍硅工艺，减少埋层的形成，降低对热预算的需求，提升了工艺的复用性和可靠性。
本发明授权一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相对设置正面和背面，在所述衬底中形成赝埋层； 在所述衬底的正面形成复合牺牲层，刻蚀所述复合牺牲层，露出所述衬底并得到第一沟槽，所述第一沟槽的侧面呈楔形； 在所述第一沟槽中形成第一基区； 在所述复合牺牲层和所述第一基区上形成介电层，刻蚀所述介电层，露出所述第一基区的一部分并得到第二沟槽，在所述第二沟槽的侧面形成楔形介电结构； 以所述楔形介电结构为掩膜，进行离子注入，形成集电区，所述集电区设置在所述第一基区的底部并延伸进入所述赝埋层； 在所述第二沟槽中形成发射极结构； 去除残留的所述复合牺牲层，暴露出所述第一基区，并在所述复合牺牲层的位置上形成基区连接结构与第二基区，所述基区连接结构与所述第一基区连接； 形成发射极欧姆接触、基极欧姆接触和集电极欧姆接触。
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