大连理工大学吴爱民获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种可实现红外/激光/可见光兼容隐身的硅基光子晶体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116299822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310208937.7，技术领域涉及：G02B5/28；该发明授权一种可实现红外/激光/可见光兼容隐身的硅基光子晶体及其制备方法是由吴爱民;刘延领;曹暾;黄昊设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可实现红外/激光/可见光兼容隐身的硅基光子晶体及其制备方法在说明书摘要公布了：一种可实现红外激光可见光兼容隐身的硅基光子晶体及其制备方法，属于功能薄膜材料技术领域。从下到上依次由基底、红外光波段膜层和可见光波段膜层构成，红外光波段膜层由依次交替溅射沉积的不同厚度的高、低折射率材料薄膜层组成，最表层可见光波段膜层由一层低折射率材料薄膜层组成。该硅基光子晶体的总层数为12～16层。本发明适用于不同波长的电磁波探测器；能够实现选择性低发射率，达到合理利用非红外大气窗口进行辐射散热和与10.6μm激光兼容隐身效果；能够实现与森林、海洋、沙漠等不同环境相匹配的伪装色，达到与红外激光隐身兼容的可见光隐身；制备过程不需要更换靶材，实现原位一体化制备，通过对溅射参数的优化，实现对膜层厚度、均匀性的控制，成膜质量高。
本发明授权一种可实现红外/激光/可见光兼容隐身的硅基光子晶体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可实现红外激光可见光兼容隐身的硅基光子晶体，其特征在于，所述的硅基光子晶体从下到上依次由基底、红外光波段膜层和可见光波段膜层构成；所述红外光波段膜层由依次交替溅射沉积的不同厚度的高、低折射率材料薄膜层组成；所述可见光波段膜层由一层低折射率材料薄膜层组成；所述的硅基光子晶体总层数为12~16层，红外光波段膜层各膜层厚度范围为λ14nH~λ24nS，可见光波段膜层厚度小于λ14ns，其中λ1＜λ2，λ1,λ2为3~14µm，nH，nS分别是高、低折射率材料薄膜层折射率； 针对不同实际应用需要，所述的基底材料选自无机非金属基复合材料、金属基复合材料、柔性有机材料； 所述的红外光波段膜层高折射率材料为Si，低折射率材料为SiO2； 所述的最表层可见光波段膜层低折射率材料为SiO2。
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