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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116301154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310182351.8，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构是由刘智;于洪波;陈泽强;姚思远;葛梅;吴嘉琪设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构在说明书摘要公布了：本发明一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构，包括电压基准、误差放大器、输出驱动电路、PMOS功率调整管P1、NMOS晶体管N1和反馈电阻；电压基准与误差放大器反相端连接，误差放大器的输出端与输出驱动电路的输入端连接，输出驱动电路的输出端与PMOS功率调整管P1栅极连接，PMOS功率调整管P1源极与输入节点VIN连接，PMOS功率调整管P1漏极与输出节点VOUT连接，NMOS晶体管N1栅极与输入节点VIN连接，NMOS晶体管N1漏极与输出节点VOUT连接，NMOS晶体管N1源极通过反馈电阻与误差放大器正相端连接。本发明能减少LDO输出电压在经受γ瞬时辐照时的扰动幅度和辐照后输出电压恢复时间。

本发明授权一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构在权利要求书中公布了：1.一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构，其特征在于，包括电压基准、误差放大器、输出驱动电路、PMOS功率调整管P1、NMOS晶体管N1和反馈电阻以及用于补偿PMOS功率调整管P1栅极光电流的电路拓扑结构； 电压基准与误差放大器的反相端连接，误差放大器的输出端与输出驱动电路的输入端连接，输出驱动电路的输出端与PMOS功率调整管P1栅极连接，PMOS功率调整管P1源极与输入节点VIN连接，PMOS功率调整管P1漏极与输出节点VOUT连接，NMOS晶体管N1栅极与输入节点VIN连接，NMOS晶体管N1漏极与输出节点VOUT连接，NMOS晶体管N1源极通过反馈电阻与误差放大器的正相端连接； 所述用于补偿PMOS功率调整管P1栅极光电流的电路拓扑结构包括PMOS晶体管P2、NMOS晶体管N2、晶体管Q1、电阻R3和电阻R4； PMOS晶体管P2源极和电阻R3的一端均与输入节点VIN连接，PMOS晶体管P2栅极与电阻R3另一端、电阻R4一端及NMOS晶体管N2源极连接，PMOS晶体管P2漏极与NMOS晶体管N2漏极及PMOS管P1栅极连接，晶体管Q1发射极与电阻R3另一端、PMOS管P2栅极、电阻R4一端及NMOS晶体管N2源极连接，晶体管Q1基极与电阻R4另一端连接，晶体管Q1集电极接地，NMOS晶体管N2栅极接地。

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