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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利绝缘栅双极晶体管的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310149280.1，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权绝缘栅双极晶体管的形成方法是由王健鹏设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本绝缘栅双极晶体管的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种绝缘栅双极晶体管的形成方法，包括：提供衬底以及依次位于衬底的表面并露出部分衬底的表面的第一氧化层和第一氮化层；从露出的衬底的表面开始通过热氧化的方法形成位于衬底的表面和衬底内的第二氧化层，第二氧化层部分生长在第一氧化层的下方，部分第一氧化层和部分第一氮化层翘起，靠近第一氮化层的表面的部分厚度的第一氮化层被氧化形成氧化的氮化层；去除氧化的氮化层；去除部分第二氧化层以及去除第一氮化层翘起的部分和第一氧化层翘起的部分，使得剩余的第二氧化层的表面和剩余第一氮化层的表面齐平；去除第一氮化层；去除第一氧化层，同时去除部分第二氧化层，剩余的第二氧化层的表面齐平并且与衬底的表面齐平。

本发明授权绝缘栅双极晶体管的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极晶体管的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底以及依次位于所述衬底上的第一氧化层和第一氮化层，所述第一氧化层和第一氮化层露出部分所述衬底的表面； 从露出的所述衬底的表面开始通过热氧化的方法形成位于所述衬底的表面和衬底内的第二氧化层，所述第二氧化层部分生长在所述第一氧化层的下方，使得部分所述第一氧化层和部分所述第一氮化层翘起，同时，靠近所述第一氮化层的表面的部分厚度的所述第一氮化层被氧化形成氧化的氮化层； 去除所述氧化的氮化层，以露出所述第一氮化层； 去除部分所述第二氧化层以及去除所述第一氮化层翘起的部分和第一氧化层翘起的部分，使得剩余的所述第二氧化层和第一氮化层的表面均平整，并且使得剩余的所述第二氧化层的表面和剩余第一氮化层的表面齐平； 去除所述第一氮化层，以露出所述第一氧化层； 去除所述第一氧化层，同时去除部分所述第二氧化层，剩余的所述第二氧化层的表面平整并且与所述衬底的表面齐平。

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