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龙图腾网获悉中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院申请的专利一种吸波透波一体化超构材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116315725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310133529.X，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种吸波透波一体化超构材料及制备方法是由邹春荣;郭少军;周晓松;沈同圣设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种吸波透波一体化超构材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种吸波透波一体化超构材料及制备方法，属于电磁隐身技术领域。一种吸波透波一体化电磁超构材料，由周期性分布的元胞单元组成，元胞的周期分布成正方形，元胞包含上层复合材料、中层泡沫芯材、下层复合材料、两层超构电阻膜层和一层频率选择表面；其中上层超构电阻膜层位于上层复合材料内部、下层超构电阻膜层位于上层复合材料与中层泡沫芯材的界面处、频率选择表面则位于中层泡沫芯材与下层超构电阻膜层的分界面处；两层超构电阻膜层和频率选择表面均为方环外形。本发明采用了两层超构电阻膜层和一层频率选择表面的电磁超材料组合即可实现低频高效透波、高频高效隐身的吸透一体效果，元胞结构简单，具有灵活的设计特性。

本发明授权一种吸波透波一体化超构材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种吸波透波一体化电磁超构材料，由周期性分布的元胞单元组成，其特征在于，所述元胞的周期分布成正方形，元胞包含上层复合材料、中层泡沫芯材、下层复合材料、两层超构电阻膜层和一层频率选择表面；所述两层超构电阻膜层为上层超构电阻膜层和下层超构电阻膜层，其中上层超构电阻膜层位于上层复合材料内部、下层超构电阻膜层位于上层复合材料与中层泡沫芯材的界面处、频率选择表面则位于中层泡沫芯材与下层超构电阻膜层的分界面处；所述两层超构电阻膜层和频率选择表面均为方环外形； 所述元胞的周期大小为10～15mm； 所述上层复合材料和下层复合材料均采用石英纤维增强氰酸酯复合材料，介电常数为3.1～3.3，上层复合材料的厚度为4～8mm，下层复合材料的厚度为2mm； 所述中层泡沫芯材采用高强PMI泡沫或者PVC泡沫，介电常数为1.1～1.2，厚度为7.5～10mm； 所述上层超构电阻膜层距离上层复合材料顶部的相对位置为0.65～0.90，方环的线宽为0.25mm～0.65mm，下层超构电阻膜层方环的宽度为0.25mm～1.0mm，上层和下层超构电阻膜层的方阻值根据吸波频段进行选择设计； 频率选择表面膜层的方环线宽为0.5mm～2.2mm。

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