湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利宽禁带半导体终端结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116364760B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310416732.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权宽禁带半导体终端结构及其制作方法是由袁俊;郭飞;王宽;徐东;彭若诗设计研发完成，并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本宽禁带半导体终端结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法，上述的终端结构包括基底、N型电场截止层、第一P型埋层、第一N型外延层、P型电荷屏蔽层、P型场限环及场氧介质层；N型电场截止层和第一P型埋层嵌设于基底上，第一N型外延层盖设于第一P型埋层和基底的上表面，P型电荷屏蔽层嵌设于第一N型外延层的第一区域，P型场限环嵌设于N型外延层的第二区域；场氧介质层设于第一N型外延层上，位于第一区域的场氧介质层与P型电荷屏蔽层的上表面接触，以构建形成超结终端区；位于第二区域的场氧介质层填充于P型场限环中，以构建形成辅助场限环终端区。该终端结构能够抵抗外界电荷的干扰、可靠性高，避免出现电场尖峰，提高器件性能的可靠性。
本发明授权宽禁带半导体终端结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体终端结构，其特征在于，包括：基底、N型电场截止层、第一P型埋层、第一N型外延层、P型电荷屏蔽层、P型场限环及场氧介质层； 所述N型电场截止层和所述第一P型埋层依次嵌设于所述基底的上部，所述第一N型外延层盖设于所述第一P型埋层和所述基底的上表面，所述P型电荷屏蔽层嵌设于所述第一N型外延层的第一区域中，所述P型场限环嵌设于所述N型外延层的第二区域中； 所述场氧介质层设于所述第一N型外延层上，位于所述第一区域的场氧介质层与所述P型电荷屏蔽层的上表面接触，以构建形成超结终端区；位于所述第二区域的场氧介质层填充于所述P型场限环中，以构建形成辅助场限环终端区。
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