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龙图腾网获悉同济大学;散裂中子源科学中心申请的专利一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116397196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211471139.5，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用是由朱京涛;周健荣;孙志嘉;刘扬;周晓娟;朱林;陈元柏设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用，该涂硼陶瓷GEM膜包括陶瓷GEM膜基底下层、Ti打底中间层以及10B4C中子转换上层。本发明涂硼陶瓷GEM膜采用以下方法制备得到：1通过磁控溅射将靶材Ti溅射至陶瓷GEM膜表面，得到镀有Ti打底中间层的陶瓷GEM膜；2通过磁控溅射将靶材碳化硼溅射至所得Ti打底中间层表面，然后经机械打孔、化学刻蚀、清洗得到目的产物。本发明涂硼陶瓷GEM膜可应用于涂硼GEM中子探测器。与现有技术相比，本发明采用“先镀膜、后打孔”的方法，所制备的涂硼陶瓷GEM膜的孔洞中不会沉积有碳化硼。本发明通过使用纳米级厚度的Ti层打底，增加碳化硼薄膜与陶瓷GEM膜表面的粘附性，使得后续加工过程中薄膜不会脱落。

本发明授权一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种涂硼陶瓷GEM膜的制备方法，其特征在于，所述涂硼陶瓷GEM膜包括陶瓷GEM膜基底下层、Ti打底中间层以及10B4C中子转换上层，该方法包括以下步骤： 1通过磁控溅射将靶材Ti溅射至陶瓷GEM膜表面，得到镀有Ti打底中间层的陶瓷GEM膜； 2通过磁控溅射将靶材碳化硼溅射至所得Ti打底中间层表面，然后经机械打孔、化学刻蚀、清洗得到目的产物； 其中，所述Ti打底中间层的厚度为50～150nm； 步骤1中，磁控溅射功率为500～1500W；所述靶材Ti的纯度≥99.99％；在磁控溅射过程中，溅射腔室的本底真空度为1×10-4～2×10-4Pa；在磁控溅射过程中，工作气体为氩气，纯度为99.999％，氩气流量为10～20sccm，气体压力为0.3～0.6Pa； 步骤2中，磁控溅射功率为2000～3000W；在磁控溅射过程中，溅射腔室的本底真空度为1×10-4～2×10-4Pa；在磁控溅射过程中，工作气体为氩气，纯度为99.999％，氩气流量为10～20sccm，气体压力为0.3～0.6Pa；所述靶材碳化硼中10B的含量≥96％； 步骤1和步骤2中，磁控溅射均为直流磁控溅射； 所述10B4C中子转换上层的厚度为1～3μm。

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