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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利一种测量薄膜膜厚方法、装置、电子设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116518903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310290861.7，技术领域涉及：G01B21/08；该发明授权一种测量薄膜膜厚方法、装置、电子设备及可读存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测量薄膜膜厚方法、装置、电子设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种测量薄膜膜厚方法、装置、电子设备及可读存储介质。所述方法包括：获取薄膜的各待测膜层中各第一测量点位的初始膜厚；针对每个待测膜层，根据对应的目标形貌约束库，修正待测膜层的各第一测量点位的初始膜厚，获得待测膜层的各第一测量点位的修正膜厚，形貌约束库用于表征膜层的形貌特征；根据修正膜厚和薄膜的特征，构建待测膜层的模拟模型；根据模拟模型的模拟数据与待测膜层的理论数据，确定待测膜层的真实膜厚。本申请能够获取准确的薄膜的各待测膜层的膜厚。

本发明授权一种测量薄膜膜厚方法、装置、电子设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种测量薄膜膜厚的方法，其特征在于，包括： 针对每个待测膜层，根据对应的预选膜层的各第二测量点位的测量膜厚和对应的基准膜厚，确定各第二测量点位的膜厚相对比值，所述预选膜层为包括一层膜层的标准薄膜样品； 根据各第二测量点位的位置和对应的所述膜厚相对比值，生成所述待测膜层的目标形貌约束库； 获取薄膜的各待测膜层中各第一测量点位的初始膜厚； 针对每个所述待测膜层，根据对应的目标形貌约束库，修正所述待测膜层的各第一测量点位的所述初始膜厚，获得所述待测膜层的各第一测量点位的修正膜厚，所述形貌约束库用于表征膜层的形貌特征； 根据所述修正膜厚和所述薄膜的特征，构建所述待测膜层的模拟模型； 根据所述模拟模型的模拟数据与所述待测膜层的理论数据，确定所述待测膜层的真实膜厚； 其中，所述根据各第二测量点位的位置和对应的所述膜厚相对比值，生成所述待测膜层的目标形貌约束库，包括： 根据各第二测量点位的位置和对应的所述膜厚相对比值，生成所述待测膜层的初始形貌约束库； 获取所述预选膜层的旋转角度； 根据所述旋转角度，更新所述初始形貌约束库，获得更新后形貌约束库； 根据所述更新后形貌约束库的各第二测量点位的所述膜厚相对比值，对所述更新后形貌约束库进行插值，获得所述目标形貌约束库； 所述根据对应的目标形貌约束库，修正所述待测膜层的各第一测量点位的所述初始膜厚，包括： 针对每个所述待测膜层的每个所述第一测量点位，在所述目标形貌约束库中，根据所述待测膜层的所述第一测量点位的位置确定目标膜厚相对比值； 根据所述目标膜厚相对比值，修正所述初始膜厚。

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