成都海光微电子技术有限公司李丹获国家专利权
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龙图腾网获悉成都海光微电子技术有限公司申请的专利一种用于测量套刻误差的测试结构和测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116560197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310569378.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种用于测量套刻误差的测试结构和测量方法是由李丹设计研发完成，并于2023-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于测量套刻误差的测试结构和测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于测量套刻误差的测试结构和测量方法，该测试结构包括多个测量单元，每个所述测量单元包括依次串联连接的第一PMOS、NMOS和第二PMOS，NMOS与第一和第二PMOS分别形成NP边界，其中NP边界相对于第一和第二PMOS的有源区具有预定义偏置量，并且不同测量单元的预定义偏置量各不相同，所述第一和第二PMOS分别输出第一和第二阈值电压，用于通过第一和第二阈值电压从多个预定义偏置量中确定套刻误差。本发明的技术方案可以准确测量真实3D芯片在晶圆表面以下的工艺偏移量信息，并且能够反映常用的或基本的栅极真实设计结构的套刻误差信息，可以基于关键器件的设计结构来定制测试结构并进行套刻精度测量。
本发明授权一种用于测量套刻误差的测试结构和测量方法在权利要求书中公布了：1.一种用于测量套刻误差的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多个测量单元，每个所述测量单元包括依次串联连接的第一PMOS、NMOS和第二PMOS，所述NMOS与所述第一PMOS和所述第二PMOS分别形成NP边界，其中所述NP边界相对于所述第一PMOS和第二PMOS的有源区具有预定义偏置量，并且不同测量单元的所述预定义偏置量各不相同；所述第一PMOS和所述第二PMOS分别输出第一阈值电压和第二阈值电压，用于通过所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的差值，从多个预定义偏置量中确定所述套刻误差。
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