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龙图腾网获悉北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司申请的专利抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116863976B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310637654.4，技术领域涉及：G11C7/08；该发明授权抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法是由曹安妮;李鑫;张彦龙;王亮;赵元富设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明属于非易失新型存储领域，具体涉及了一种抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法，旨在解决现有的存储单元外围基于MOS管的电路仍然对空间辐射效应敏感的问题。本发明包括：预先放电部分通过第一传感支路和第二传感支路连接至充电传感部分；充电传感部分包括PMOS管PM0和PM1并连接至VDD；第一反馈支路的第一端连接PM0，第二端连接PM1第三端连接至第一传感支路，第四端连接第二传感支路；第一传感支路通过第二反馈支路连接至第二传感支路；第二传感支路通过第三反馈支路连接至第一传感支路。本发明通过为放大器设置3条反馈支路，加速了数据单元和对比单元所在的传感支路的放电时间，稳定增大第零输出节点V0和第一输出节点V1的电压差。

本发明授权抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐射加固预放电型灵敏放大器，其特征在于，所述放大器包括： 预先放电部分、第一传感支路、第二传感支路、充电传感部分、第一反馈支路、第二反馈支路和第三反馈支路； 预先放电部分通过第一传感支路和第二传感支路连接至充电传感部分； 充电传感部分包括PMOS管PM0和PM1；充电传感部分连接至VDD； 第一反馈支路的第一端连接PM0，第一反馈支路的第二端连接PM1，第一反馈支路的第三端连接至第一传感支路，第一反馈支路的第四端连接第二传感支路； 第一传感支路通过第二反馈支路连接至第二传感支路； 第二传感支路通过第三反馈支路连接至第一传感支路； 所述第一传感支路和第二传感支路，具体包括： 所述第一传感支路，由预先放电部分至充电传感部分，包括第二连接节点ND2、电阻R0、第一输出节点V0、第零连接节点ND0、第四连接节点ND4和第一反馈支路的第三端； 所述第二传感支路，由预先放电部分至充电传感部分，包括第三连接节点ND3、电阻R1、第二输出节点V1、第一连接节点ND1、第五连接节点ND5和第一反馈支路的第四端。

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