中国地质大学(武汉)刘力获国家专利权
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龙图腾网获悉中国地质大学(武汉)申请的专利一种悬浮槽锯齿形一维光子晶体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116908961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310923720.4，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种悬浮槽锯齿形一维光子晶体是由刘力;吴涛设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种悬浮槽锯齿形一维光子晶体在说明书摘要公布了：本发明提供一种悬浮槽锯齿形一维光子晶体，应用于折射率传感器，包括条形波导，条形波导的两侧面均刻蚀有锯齿形的侧晶格，条形波导包括第一反射区、渐变区和第二反射区，第一反射区和第二反射区内等间距刻蚀有多个圆柱形的第一晶格；渐变区内沿着其光路方向间隔刻蚀有多个圆柱形的第二晶格，所有第二晶格相对一竖直平面对称设置，且沿着远离该竖直平面方向第二晶格的刻蚀周期逐渐增大、第二晶格的直径逐渐增大；相邻两第一晶格之间、以及相邻两第二晶格之间均刻蚀有狭缝。本发明的有益效果：更好的将光限制在器件内部，光和待测物质充分接触，间接增加光和待测物质的接触面积，极大地增强了光与待测物质的相互作用，有利于提升器件传感灵敏度。
本发明授权一种悬浮槽锯齿形一维光子晶体在权利要求书中公布了：1.一种悬浮槽锯齿形一维光子晶体，应用于折射率传感器，其特征在于：包括条形波导，所述条形波导的两侧面均刻蚀有锯齿形的侧晶格，所述条形波导相对一水平平面上下对称，所述条形波导的上侧面上和下侧面的多个侧晶格均等间距间隔设置，所述侧晶格为等腰三角形，所述侧晶格的刻蚀周期为500nm，刻蚀深度为160nm，所述条形波导包括沿着其光路方向依次设置的第一反射区、渐变区和第二反射区，其中， 所述第一反射区和所述第二反射区内等间距刻蚀有多个圆柱形的第一晶格； 所述渐变区内沿着其光路方向间隔刻蚀有多个圆柱形的第二晶格，所有第二晶格相对一竖直平面对称设置，且沿着远离该竖直平面方向所述第二晶格的刻蚀周期逐渐增大、所述第二晶格的直径逐渐增大； 相邻两所述第一晶格之间、以及相邻两所述第二晶格之间均刻蚀有狭缝。
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