西安微电子技术研究所陈泽强获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种高瞬态响应低压差线性稳压器及其控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116909343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310926907.X,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种高瞬态响应低压差线性稳压器及其控制方法是由陈泽强;姚思远;刘智;武琪;吴嘉祺;于洪波;魏海龙;王勇;张强设计研发完成,并于2023-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高瞬态响应低压差线性稳压器及其控制方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高瞬态响应低压差线性稳压器及其控制方法,涉及集成电路设计领域,在PMOS管的体端增加电位调节电路,这与原有阻容反馈网络、误差放大器组成的控制环路相互独立,对IP1的调节速度是叠加关系。体端电位调节电路是逻辑电路与小型开关电路,静态功耗低、面积小,不影响低压差线性稳压器的效率、体积。在控制环路功耗不变、Class‑AB静态偏置电流不变、不增加额外功率管的情况下,利用开关型电位转换电路改变Class‑AB中NMOS管体电位,实现额外的LDO输出电流变化,从而提高LDO速度。本发明在不用大幅增加静态功耗的条件下提高输出电流IOUT调节速度,降低VOUT在输出负载跳变后的恢复时间。
本发明授权一种高瞬态响应低压差线性稳压器及其控制方法在权利要求书中公布了:1.一种高瞬态响应低压差线性稳压器,其特征在于,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、比较器VC1、比较器VC2、专用集成电路A1和自举电容CBS1; 所述第一PMOS管的栅极连接有误差放大器,第一PMOS管的漏极分别与阻容反馈网络的输入端、比较器VC1的负输入端和比较器VC2的正输入端连接,比较器VC1的正输入端与基准电压源VH的正极连接,比较器VC2的负输入端与基准电压源VL的正极连接,基准电压源VH的正极电位大于第一PMOS管漏极的期望值,基准电压源VL的正极电位小于第一PMOS管漏极的期望值,第一PMOS管的源极接第一电源VDD,阻容反馈网络的输出端连接有误差放大器; 所述专用集成电路A1的输入端分别与比较器VC1的输出端和比较器VC2的输出端连接,专用集成电路A1的输出端分别与第二PMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接,第一NMOS管的源极和自举电容CBS1的上极板均与第一PMOS管的体端连接,第一NMOS管的漏极连第二电源VDD,第二PMOS管的源极与自举电容CBS1的下极板VBS1连接,第二NMOS管的漏极与自举电容CBS1的下极板VBS1连接,第二NMOS管的源极连GND,第二PMOS管的漏极与基准电压源V2的正极连接,V2的负极接地。
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