中国人民解放军国防科技大学石峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种小尺寸磁流变抛光装置的设计方法及抛光装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117245451B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311154981.0,技术领域涉及:B24B1/00;该发明授权一种小尺寸磁流变抛光装置的设计方法及抛光装置是由石峰;王博;宋辞;铁贵鹏;张万里;张志强;司海伦;彭星设计研发完成,并于2023-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种小尺寸磁流变抛光装置的设计方法及抛光装置在说明书摘要公布了:本发明涉及一种小尺寸磁流变抛光装置的设计方法及抛光装置,方法包括以下步骤:S1.确定出用于磁流变抛光装置的磁体的磁体结构和磁体参数;其中,所述磁体参数包括:磁体体积和独立形状参数;S2.确定出用于磁流变抛光装置的抛光轮的抛光轮结构和抛光轮尺寸,并基于所述抛光轮尺寸确定出所述磁体的磁体体积;S3.建立包含所述磁体和所述抛光轮的仿真模型,以及,基于所述仿真模型并采用正交试验法对所述独立形状参数中所包含的各个参数进行重要度排序并输出重要度排序结果;S4.基于所述重要度排序结果对所述独立形状参数中的各个参数逐一优化,完成所述磁体的设计。
本发明授权一种小尺寸磁流变抛光装置的设计方法及抛光装置在权利要求书中公布了:1.一种小尺寸磁流变抛光装置的设计方法,其特征在于,包括以下步骤: S1.确定出用于磁流变抛光装置的磁体的磁体结构和磁体参数;其中,所述磁体参数包括:磁体体积和独立形状参数;其中,确定出用于磁流变抛光装置的磁体的磁体结构的步骤中,所述磁体包括两个对称的磁极; 所述磁极包括:磁极上部a,与所述磁极上部a相连接的磁极下部b; 所述磁极下部b的下端面与所述磁极上部a的上端面相平行的设置,所述磁极下部b的外侧面包括倾斜的第一平面部分和用于连接所述第一平面部分和所述下端面的过渡部分,所述磁极下部b的内侧面包括倾斜的第二平面部分和用于连接所述第二平面部分和所述下端面的竖直平面部分; 确定出用于磁流变抛光装置的磁体的磁体参数的步骤中,所述独立形状参数基于所述磁体结构获得,其包括:所述第一平面部分的第一倾斜角β,所述第二平面部分的第二倾斜角α,所述下端面的下端面宽度e2,所述磁体下端开口的半开口宽度e1; S2.确定出用于磁流变抛光装置的抛光轮的抛光轮结构和抛光轮尺寸,并基于所述抛光轮尺寸确定出所述磁体的磁体体积;其中,所述抛光轮呈圆环状,且其外环面呈弧状;所述抛光轮的外径为10~15mm,壁厚为0.4mm~1.5mm; S3.建立包含所述磁体和所述抛光轮的仿真模型,以及,基于所述仿真模型并采用正交试验法对所述独立形状参数中所包含的各个参数进行重要度排序并输出重要度排序结果; S4.基于所述重要度排序结果对所述独立形状参数中的各个参数逐一优化,完成所述磁体的设计。
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