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龙图腾网获悉大连大学申请的专利一种高结合强度陶瓷基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117263711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311298958.9，技术领域涉及：C04B37/02；该发明授权一种高结合强度陶瓷基板的制备方法是由王兴安;罗凌;韩霜;孙旭东;惠宇;吕卉;任培;柏小龙;孙晶;李彦钊;刘旭东;那兆霖设计研发完成，并于2023-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高结合强度陶瓷基板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于钎焊领域，公开了一种高结合强度陶瓷基板的制备方法。对氮化硅陶瓷进行表面脱氮处理后，再经包套、热等静压烧结制备而成。Ag‑Cu‑Ti焊料与经过脱氮处理的氮化硅陶瓷和金属铜发生化学反应，生成过渡层来将金属铜和氮化硅陶瓷结合起来。该制备方法中使用极少的焊料，且得到的陶瓷基板结合强度高且体积小。

本发明授权一种高结合强度陶瓷基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高结合强度陶瓷基板的制备方法，其特征是，先对氮化硅陶瓷表面进行激光脱氮处理，选用Ag-Cu-Ti焊料，将经过前处理的氮化硅陶瓷、金属铜和Ag-Cu-Ti焊料，按照钛箔、氮化硅陶瓷、Ag-Cu-Ti焊料、铜片、钛箔的顺序放入包套模具中，进行抽真空预处理，将进行预处理过后的高真空待焊件放入热等静压烧结后，Ag-Cu-Ti焊料与经过脱氮处理的氮化硅陶瓷和金属铜发生化学反应，生成过渡层来将金属铜和氮化硅陶瓷结合起来；铜片厚度为0.1-0.2mm，活性金属焊料厚度为0.03-0.05mm； 具体步骤如下： 1陶瓷表面脱氮：将清洗干燥后的氮化硅陶瓷放置在激光工作台上，设定激光参数：激光扫描速度为90-120mms，扫描功率为70％-90％，线间距为0.02-0.05mm，开始激光扫描，扫描结束即完成氮化硅陶瓷表面脱氮； 2包套： 使用包套，所述包套材料为钛箔； 将步骤1得到的氮化硅陶瓷，按照钛箔、氮化硅陶瓷、Ag-Cu27-Ti3.3；a.wt％；焊料、铜片、钛箔的顺序放入包套模具中，得到包套样品； 3抽真空： 将步骤2获得的包套样品放入放电等离子烧结炉中，将真空度降至10-3Pa以下后，加热至700℃，当压力达到6MPa时，保持0.5h，期间维持炉腔内真空度不高于10-3Pa，包套完成后卸去压力，先以8℃min降至室温，得到高真空待焊件； 4热等静压烧结： 将步骤3获得的高真空待焊件置入热等静压炉炉膛中，在温度700℃及压力100-200MPa的条件下保持0.5-2h，获得一种高结合强度陶瓷基板。

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