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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种粉末冶金技术制备高性能铜基引线框架材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117265313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311231123.1，技术领域涉及：C22C1/05；该发明授权一种粉末冶金技术制备高性能铜基引线框架材料的方法是由刘亮;高明;易健宏;鲍瑞;陶静梅;刘意春设计研发完成，并于2023-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种粉末冶金技术制备高性能铜基引线框架材料的方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种粉末冶金技术制备高性能铜基引线框架材料的方法，属于复合材料领域。本发明的方法首先将碳纳米管和铜镍硅合金进行混合，然后将混合粉末进行放电等离子烧结，得到复合块体，接着将复合块体进行固溶处理，冷轧，时效处理，得到最终的碳纳米管铜镍硅复合材料。本发明通过在铜镍硅合金内采用“沸腾分散”的方式引入碳纳米管，使得CNTs在Cu‑Ni‑Si合金粉末中均匀的分散，可以有效的阻碍晶界的迁移从而抑制晶粒长大，使得材料的电学和导电性能获得显著提升，同时有效的解决了在熔炼铸造过程中出现的成分不均匀，致密度低导致材料性能差等缺陷。本发明的方法简化了制备工艺，缩短了制备时间，降低了生产成本，是一种绿色环保的制备方式。

本发明授权一种粉末冶金技术制备高性能铜基引线框架材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种粉末冶金技术制备高性能铜基引线框架材料的方法，其特征在于； 1将高纯电解Cu板，高纯电解Ni板和高纯电解Si板三种材料放入真空感应熔炼炉中熔炼，通过超声雾化技术将其雾化成颗粒大小均匀的铜镍硅合金球形粉末； 2将CNTs放入在无水乙醇中超声分散，得到分散均匀的CNTs混合液，然后将Cu-Ni-Si合金粉倒入到CNTs混合液中，通过旋转蒸发仪以60-70rmin转速、60-80℃水浴温度沸腾分散1-3h进行“沸腾分散”混合处理，得到均匀的CNTsCu-Ni-Si混合液，接着通过真空干燥箱干燥后得到CNTsCu-Ni-Si混合粉末；其中，CNTsCu-Ni-Si合金的质量比为0.02g~0.09g:26g； 3将步骤2的CNTsCu-Ni-Si混合粉末进行放电等离子烧结，烧结升温速率50-200℃min，得到CNTsCu-Ni-Si烧结坯体，然后进行高温固溶处理，得到均质的复合块体； 4将步骤3的复合块体进行多道次冷轧处理，轧制温度为150-300℃，最后采用时效处理方式，获得CNTsCu-Ni-Si复合材料。

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