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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种制备AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117512557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311381263.7，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种制备AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜的方法是由徐小志;李伟轩设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制备AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜的方法，该方法采用化学气相沉积法，在气相沉积过程中调控双层过渡金属硫族化物的晶畴在衬底表面跨越台阶成核，然后生长为AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜。本发明还涉及所述方法制得的AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜。本发明所述方法可以获得性能优异的全AA堆垛双层TMD薄膜，而且有利于进一步得到双层单晶TMD。

本发明授权一种制备AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜的方法，其特征在于，采用化学气相沉积法，在气相沉积过程中调控双层过渡金属硫族化物的晶畴在衬底表面跨越台阶成核，然后生长为AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜； 所述制备AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜的方法，包括如下步骤： S1.将硫粉或硒粉放置于CVD管式炉内的第一温区，将过渡金属氧化物和氯化钠的混合物放置于所述CVD管式炉内的第二温区； S2.在惰性气氛中，从0min至第40min期间，将所述CVD管式炉内的第二温区加热至550-650℃，将第三温区加热至900℃，而从第20min至第40min期间将所述第二温区加热至160℃，从第40min起所述第一温区、第二温区和第三温区进行保温； S3.在第40min时将表面分布有原子台阶的蓝宝石衬底放入所述第三温区，在第50min时将所述蓝宝石衬底从所述第三温区取出，自然冷却至室温之后，得到生长在所述蓝宝石衬底上的AA堆垛双层过渡金属硫族化物薄膜； 其中，所述过渡金属氧化物为三氧化钨或三氧化钼； 步骤S1中，将所述蓝宝石衬底放置于所述CVD管式炉内的非加热区内，所述非加热区相邻于所述第三温区； 步骤S3中，在第40min时将所述蓝宝石衬底从所述非加热区推入所述第三温区，在第50min时将所述蓝宝石衬底从所述第三温区拉出至所述非加热区，并关闭所述CVD管式炉的加热电源，使所述蓝宝石衬底随炉自然冷却至室温。

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