买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种片上高品质因子硫系光子晶体平板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117568746B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311541197.5，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种片上高品质因子硫系光子晶体平板的制备方法是由张斌;黄健腾;李朝晖;胡桂莹;夏迪;杨水仙设计研发完成，并于2023-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种片上高品质因子硫系光子晶体平板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于晶体平板制备技术领域，具体涉及一种片上高品质因子硫系光子晶体平板的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.在硅基衬底上热蒸镀硫系薄膜，且由上至下依次为硫系薄膜层、二氧化硅下包层、硅衬底构成硫系薄膜样品；S2.在上述硫系薄膜样品的上表面旋涂光刻胶；通过干法刻蚀、物理去胶和水浴溶胶后，进一步热退火实现高品质因子光子晶体面板制备。基于硫系材料具有的非易失性光致折变特性，通过带隙光照射制备的硫系光子晶体面板，可以实现对面板内谐振光的动态调控；本发明能够在简化器件结构的同时可获得具有超高Q值的谐振模式，可以突破光子晶体在光锥下方模式设计的限制，且应用硫系薄膜的光致折变效应可实现谐振无损耗的连续调谐。

本发明授权一种片上高品质因子硫系光子晶体平板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种片上高品质因子硫系光子晶体平板的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤： S1.在硅基衬底上热蒸镀硫系薄膜，且由上至下依次为硫系薄膜层、二氧化硅下包层、硅衬底构成硫系薄膜样品； S2.在上述硫系薄膜样品的上表面旋涂光刻胶； S3.进行前处理、涂胶和软烘后，进行电子束曝光； S4.反应离子刻蚀：采用反应离子束刻蚀系统对含有光刻胶图案层的硫系薄膜样品进行离子轰击及反应离子刻蚀，选择氩气、四氟甲烷和三氟甲烷作为硫系材料的刻蚀气体； 刻蚀完成后，在硫系薄膜层形成深度和大小均匀对称，侧壁光滑且垂直度高的光子晶体孔洞以及残留光刻胶图案； S5.水浴去胶：采用有机溶剂加热水浴溶解残留光刻胶，吹干后得到带有微量残胶的光子晶体孔洞； S6.蓝膜去胶：采用有黏性的胶带膜对直径为400nm-500nm的光子晶体孔洞表面的微量残胶进行粘黏去除； S7.退火：去胶完毕后，在真空或惰性气体环境下进行高于玻璃化转变温度，10小时以上的退火，进一步降低光子晶体平板的表面粗糙度，获得大面积、高品质因子硫系光子晶体平板； S8.可重构的谐振模式动态调谐：应用硫系材料的光致折变效应，使用带隙激光对光子晶体平板进行照射泵浦，改变材料折射率从而使光子晶体的谐振模式频率移动，实现动态可调谐，并在调谐过程中保持高Q值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中山大学，其通讯地址为：510275 广东省广州市海珠区新港西路135号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。