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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种基于电控相变超表面的动态热伪装器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117722888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311805849.1，技术领域涉及：F41H3/00；该发明授权一种基于电控相变超表面的动态热伪装器件是由王云征;熊宇峰;张国旭设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电控相变超表面的动态热伪装器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电控相变超表面的动态热伪装器件，属于热伪装器件技术领域。包括MIM等离子体超表面和基层，MIM等离子体超表面位于基层上方中央处，MIM等离子体超表面与基层之间设置有SiO2层，MIM等离子体超表面的两侧均连接有焊盘。本发明采用上述的一种基于电控相变超表面的动态热伪装器件，MIM热发射器具有完全对称的结构，垂直入射时不同偏振角的光谱发射率几乎没有变化。热伪装性能和热稳定性对不同偏振角和一定范围内的入射角并不敏感。并且本发明满足GST非晶化的基本要求。

本发明授权一种基于电控相变超表面的动态热伪装器件在权利要求书中公布了：1.一种基于电控相变超表面的动态热伪装器件，其特征在于：包括MIM等离子体超表面和基层，所述MIM等离子体超表面位于所述基层上方中央处，所述MIM等离子体超表面与所述基层之间设置有SiO2层，所述MIM等离子体超表面的两侧均连接有焊盘； 所述MIM等离子体超表面包括GST层，所述GST层的底部连接有Pt层，所述GST层的厚度为80nm，其顶部连接有Au层； 所述GST层通过调整MIM等离子共振的峰值来控制热发射器的发射率； 所述Pt层的厚度为40nm，且所述Pt层的电阻率为其既用于阻挡红外波段的光透过样品，又作为加热层引发GST相变； 所述Au层是周期性圆柱阵列，所述Au层的厚度为50nm，周期性圆柱列阵的直径为1000nm，周期为1050nm，所述MIM等离子体超表面在非晶态GST时在8-14um波段存在基阶磁共振，而在晶态GST时则没有，表现出不同相态GST的不同发射率； 电源接通两个Au焊盘，输入一个电脉冲，电流经过中间的Pt层，Pt层产热，加热GST层引发其相变； 在12.74V，300ns电脉冲激发下，GST顶部温度变化比底部迟缓，使GST层温度在560-660K范围内以的速率降温，实现非晶化相变； 所述基层的材质为Si，所述SiO2层为145nm低导热率的SiO2层。

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