广州华星光电半导体显示技术有限公司龙昊获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117936551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410021706.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板是由龙昊设计研发完成，并于2024-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括衬底和设置于所述衬底上有源层，所述有源层包括第一半导体层和设置于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层接触，所述有源层为金属氧化物半导体，所述第一半导体层为非晶体，所述第二半导体层为晶体；本申请通过在衬底上设置第一半导体层和第二半导体层，且第二半导体层为晶体，利用晶体的高抗蚀刻性能，避免第一半导体层的沟道在源漏极层的蚀刻工艺中被蚀刻，保证了产品的器件性能。
本发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底上有源层，所述有源层包括： 第一半导体层，所述第一半导体层为非晶体； 第二半导体层，设置于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第一半导体层和所述第二半导体层接触，所述第二半导体层为晶体，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料均至少包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物包括第一金属元素，所述第一半导体层中的所述第一金属氧化物为非晶体，所述第二半导体层中的所述第一金属氧化物为晶体，以及所述第一半导体层中所述第一金属元素的含量小于所述第二半导体层中所述第一金属元素的含量； 第三半导体层，设置于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧，所述第三半导体层的材料和所述第二半导体层的材料相同，以及所述第三半导体层为晶体； 诱导层，设置于所述第二半导体层和所述第三半导体层之间，所述诱导层的材料包括所述第一金属氧化物，所述诱导层为晶体； 其中，所述有源层为金属氧化物半导体，所述第三半导体层中所述第一金属元素的含量小于所述第二半导体层中所述第一金属元素的含量。
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