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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利分裂浮动扩散像素布局设计获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117954463B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311387827.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权分裂浮动扩散像素布局设计是由李相柱设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本分裂浮动扩散像素布局设计在说明书摘要公布了：本申请涉及分裂浮动扩散像素布局设计。像素阵列包含像素电路，其包含第一像素电路，第一像素电路具有分别通过第一及第三转移晶体管从第一及第三光电二极管及通过第二及第四转移晶体管从第二及第四光电二极管接收电荷的第一及第二分裂浮动扩散区。第一共享栅极结构包含第一及第二像素电路的第一转移晶体管的栅极。第三共享栅极结构包含第一及第二像素电路的第三转移晶体管的栅极。第二共享栅极结构包含第一及第三像素电路的第二转移晶体管的栅极。第四共享栅极结构包含第一及第三像素电路的第四转移晶体管的栅极。双浮动扩散晶体管耦合于第一及第二分裂浮动扩散区与第三及第四分裂浮动扩散区之间以合并第一、第二、第三及第四浮动扩散区中的电荷。

本发明授权分裂浮动扩散像素布局设计在权利要求书中公布了：1.一种像素阵列，其包括： 多个像素电路，其布置成行及列，其中所述多个像素电路中的第一像素电路包含： 第一、第二、第三及第四光电二极管，其经安置于半导体材料中且经配置以响应于入射光而光生电荷； 第一、第二、第三及第四转移晶体管，其分别耦合到所述第一、第二、第三及第四光电二极管； 第一、第二、第三及第四分裂浮动扩散区，其经安置于所述半导体材料中，其中所述第一分裂浮动扩散区经耦合以分别通过所述第一及第三转移晶体管接收由所述第一及第三光电二极管光生的所述电荷，其中所述第二分裂浮动扩散区经耦合以分别通过所述第二及第四转移晶体管接收由所述第二及第四光电二极管光生的所述电荷； 第一、第二、第三及第四共享栅极结构，其中所述第一共享栅极结构包括所述第一像素电路的所述第一转移晶体管的栅极及所述多个像素电路中的第二像素电路的第一转移晶体管的栅极，其中所述第三共享栅极结构包括所述第一像素电路的所述第三转移晶体管的栅极及所述第二像素电路的第三转移晶体管的栅极，其中所述第二共享栅极结构包括所述第一像素电路的所述第二转移晶体管的栅极及所述多个像素电路中的第三像素电路的第二转移晶体管的栅极，其中所述第四共享栅极结构包括所述第一像素电路的所述第四转移晶体管的栅极及所述第三像素电路的第四转移晶体管的栅极；及 双浮动扩散晶体管，其经耦合于所述第一及第二分裂浮动扩散区与所述第三及第四分裂浮动扩散区之间，其中所述双浮动扩散晶体管经配置接通以使所述第一、第二、第三及第四浮动扩散区中的电荷合并。

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