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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种短沟道负电容围栅场效应晶体管的数值模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117973298B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410243471.9，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种短沟道负电容围栅场效应晶体管的数值模拟方法是由白刚;谢琰辉;纪婷伟;许杰设计研发完成，并于2024-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种短沟道负电容围栅场效应晶体管的数值模拟方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种短沟道负电容围栅场效应晶体管的数值模拟方法，构建结构为MFIS的短沟道负电容围栅场效应晶体管NC‑GAAFET的源漏电流模型；对常规的GAAFET的源漏电流模型进行解析，求解圆柱形二维泊松方程得到的静电势；根据源区和漏区附近的边界条件得到源漏电流Ids，并计算漏致势垒降低效应参数；耦合常规的短沟道GAAFET的源漏电流模型，并结合挠曲电效应，得到NC‑GAAFET的源漏电流模型；计算NC‑GAAFET的亚阈值摆幅；步骤6：重复步骤2到步骤5，调整不同的铁电层厚度、结构参数以及挠曲电系数，得到不同情况下的电学性能。

本发明授权一种短沟道负电容围栅场效应晶体管的数值模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种短沟道负电容围栅场效应晶体管的数值模拟方法，其特征在于，包括： 步骤1：构建结构为金属-铁电-绝缘层-半导体MFIS的短沟道负电容围栅场效应晶体管NC-GAAFET的源漏电流模型； 步骤2：对常规的短沟道围栅场效应晶体管GAAFET的源漏电流模型进行泊松方程解析，通过求解圆柱形二维泊松方程得到常规的短沟道GAAFET的静电势； 步骤3：根据常规的短沟道GAAFET源区和漏区附近的边界条件得到源漏电流Ids，并计算漏致势垒降低效应参数； 步骤4：耦合常规的短沟道GAAFET的源漏电流模型，并结合挠曲电效应，得到NC-GAAFET的源漏电流模型；包括： 步骤4–1：耦合常规GAAFET模型，则栅极表面电荷密度Qgmos模型为： 其中，Lg表示从栅极到漏极的长度； 步骤4-2：根据L-K方程，阈值电压Vfe用移动电荷密度Qgmos表示为： 其中，系数a0和b0与铁电材料的朗道参数有关，f12是挠曲电系数，tfe表示栅极与源漏极之间的有效氧化层厚度，tin表示绝缘层的厚度； 步骤4-3：挠曲电效应的短沟道NC-GAAFET的电压平衡条件为： 其中，Vgs为栅极-源极电压，Vmos表示沟道与栅极之间的电势，Vfe表示阈值电压，αHfO2,和βHfO2是HfO2的朗道参数，用来调节移动电荷密度和阈值电压之间的关系； 步骤4-4：当NC-GAAFET的栅压Vgs时，GAAFET的有效栅压Vmos对应的源漏电流Ids为： 其中，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，q为基本电荷，Vds为漏源电压，u为电子迁移率，n为硅中本征载流子浓度； 步骤5：计算NC-GAAFET的亚阈值摆幅； 步骤6：重复步骤2到步骤5，调整短沟道NC-GAAFET源漏电流模型的铁电层厚度、结构参数以及挠曲电系数，得到短沟道NC-GAAFET在不同情况下的电学性能。

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