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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117976719B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410128179.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种宽禁带半导体器件结构及其制作方法是由袁俊;郭飞;陈伟;成志杰;王宽;吴阳阳;徐少东;朱厉阳;彭若诗;李明哲设计研发完成，并于2024-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体器件结构及其制作方法，属于半导体器件技术领域。该器件结构包括依次叠加的漏极、衬底、外延层；外延层远离衬底一侧的表层中间隔设置有P阱区，相邻两个P阱区之间为JFET区；在JFET区上方设置有栅极和源极，栅极与源极之间通过层间介质层隔离；在栅极与外延层之间，沿衬底指向外延层的方向上，依次叠加有第一电场屏蔽层、第二电场屏蔽层和第三电场屏蔽层；第一电场屏蔽层两侧设置有与外延层远离衬底一侧的表面接触的栅极介质层；第一电场屏蔽层和第三电场屏蔽层均为临界电场强度≥6MVcm的材料层，第二电场屏蔽层为高介电常数材料层。该器件结构通过三层电场屏蔽层来承担电压和降低电场，提高了器件的可靠性和开关速度。

本发明授权一种宽禁带半导体器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上生长外延层； 通过离子注入在所述外延层中形成间隔的P阱区；相邻两个所述P阱区之间形成JFET区； 在所述外延层远离所述衬底的一侧的表面上依次沉积临界电场强度≥6MVcm的材料和高介电常数材料，分别得到第一电场屏蔽层和第二电场屏蔽层；刻蚀所述第二电场屏蔽层，刻蚀停止在所述第一电场屏蔽层表面； 在得到的器件结构远离所述衬底一侧的表面上沉积临界电场强度≥6MVcm的材料，得到第三电场屏蔽层；通过湿法腐蚀的方法刻蚀所述第一电场屏蔽层和第三电场屏蔽层； 将得到的器件结构置于1150℃~1500℃下氧化10min~150min，然后在NO或Ar或N2O气氛下，在1150℃~1500℃下退火1h~2h，使所述外延层远离所述衬底一侧的表面形成氧化层作为栅极介质层； 在得到的器件结构远离所述衬底一侧的表面上沉积栅极材料，刻蚀后得到栅极；继续在器件结构远离所述衬底一侧的表面上沉积层间介质材料，刻蚀后得到包围所述栅极的层间介质层； 在得到的器件结构远离所述衬底一侧的表面上沉积源极金属，刻蚀后得到源极；在所述衬底远离所述外延层一侧的表面上沉积漏极金属，得到漏极； 或，所述宽禁带半导体器件结构的制作方法包括以下步骤： 在衬底上生长外延层； 通过离子注入在所述外延层中形成间隔的P阱区；相邻两个所述P阱区之间形成JFET区； 在所述外延层远离所述衬底的一侧的表面上依次沉积临界电场强度≥6MVcm的材料和高介电常数材料，刻蚀得到的材料层，刻蚀停止在所述外延层远离所述衬底一侧的表面上，分别得到第一电场屏蔽层和第二电场屏蔽层；将得到的器件结构置于1150℃~1500℃下氧化10~150min，然后在NO或Ar或N2O气氛下，在1150℃~1500℃下退火1h~2h；使所述第二电场屏蔽层远离所述第一电场屏蔽层的表面被氧化形成第三电场屏蔽层；所述外延层远离所述衬底一侧的表面被氧化形成的氧化层作为栅极介质层； 在得到的器件结构远离所述衬底一侧的表面上沉积栅极材料，刻蚀后得到栅极；继续在器件结构远离所述衬底一侧的表面上沉积层间介质材料，刻蚀后得到包围所述栅极的层间介质层； 在得到的器件结构远离所述衬底一侧的表面上沉积源极金属，刻蚀后得到源极；在所述衬底远离所述外延层一侧的表面上沉积漏极金属，得到漏极。

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