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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利存储块及其制程方法、存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117998855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211343303.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储块及其制程方法、存储单元是由曹开玮设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储块及其制程方法、存储单元在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储块及其制程方法、存储单元。该方法包括：提供一半导体基材；在半导体基材上开设多个字线孔洞，以将半导体基材上的每层存储子阵列层沿行方向分割成多列漏区、沟道和源区半导体条；利用字线孔洞在暴露出沟道半导体条的部分的至少一侧形成浮栅存储结构；在每一字线孔洞中分别填充栅极材料，以形成多个栅极条，每条栅极条至少有部分与每层存储子阵列层中的一条对应的沟道半导体条的部分在一投影平面上的投影重合，栅极条的部分、沟道半导体条的相应部分及夹设在二者之间的浮栅存储结构的部分、与沟道半导体条的相应部分相邻的漏区半导体条的部分和源区半导体条的部分，构成一个存储单元。该方法所制得的存储块的存储密度较高。

本发明授权存储块及其制程方法、存储单元在权利要求书中公布了：1.一种存储块的制程方法，其特征在于，包括： 提供一半导体基材，其中，所述半导体基材包括衬底和形成在所述衬底上的多个存储子阵列层，所述多个存储子阵列层在沿垂直所述衬底的高度方向上依次层叠，每个所述存储子阵列层分别包括沿所述高度方向层叠的漏区半导体层、沟道半导体层和源区半导体层，其中，所述漏区半导体层、所述沟道半导体层和所述源区半导体层分别为单晶半导体层； 在所述半导体基材上开设多个字线孔洞，以将每层所述存储子阵列层沿行方向分割成多列漏区半导体条、沟道半导体条和源区半导体条，其中，所述多个字线孔洞在行方向和列方向上按照矩阵排列，每一所述字线孔洞沿所述高度方向延伸，且每一所述字线孔洞的至少一侧暴露出所述多个存储子阵列层的至少一列所述漏区半导体条、沟道半导体条和源区半导体条的部分； 利用所述字线孔洞在暴露出所述沟道半导体条的部分的至少一侧形成浮栅存储结构； 在每一所述字线孔洞中分别填充栅极材料，以形成多个栅极条，其中，每条所述栅极条至少有部分与每层所述存储子阵列层中的一条对应的所述沟道半导体条的部分在一投影平面上的投影重合，所述投影平面沿所述高度方向和所述列方向延伸，所述栅极条的部分、所述沟道半导体条的相应部分、夹设在所述栅极条的部分与所述沟道半导体条的相应部分之间的对应的所述浮栅存储结构的部分、配合与所述沟道半导体条的相应部分相邻的所述漏区半导体条的部分和所述源区半导体条的部分，构成一个存储单元。

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