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龙图腾网获悉华南理工大学;珠海中科先进技术研究院有限公司;珠海罗西尼表业有限公司;深圳市森泰金属技术有限公司申请的专利一种力学性能优良的类玫瑰金复合膜的制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118480766B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410488026.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种力学性能优良的类玫瑰金复合膜的制备方法与应用是由康志新;黄诗琦;孔晶;钱锦;陈德馨;龙雁;郭新刚;范伟华;沈耿哲;陈正件;王运鹏;黄裕坤;谢见文;张广忠;徐林;王天萍设计研发完成，并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种力学性能优良的类玫瑰金复合膜的制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于真空镀膜技术领域，公开一种类玫瑰金复合膜及其制备方法与应用。本发明利用中频磁控溅射技术在基底上沉积打底层；然后利用高功率脉冲磁控溅射技术与中频磁控溅射技术复合的复合磁控溅射技术在打底层上依次沉积过渡层、表面层，得到TiNTiCN的类玫瑰金复合膜，其中，打底层为纯Ti层，过渡层为TiN层，表面层为TiCN层。本发明结合了中频磁控溅射和高功率磁控溅射技术，综合了两工艺的优势，改善了二者的缺陷，适用范围广，可适用于大多数金属材料，且绿色环保。本发明制备的膜层的晶格之间配合良好，所得类玫瑰金复合膜具有优良的力学性能及膜基结合力；且原子配比得当，具有类玫瑰金的理想颜色。

本发明授权一种力学性能优良的类玫瑰金复合膜的制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种类玫瑰金复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：利用中频磁控溅射技术，在基底上沉积打底层；然后利用高功率脉冲磁控溅射技术与中频磁控溅射技术复合的复合磁控溅射技术在打底层上依次沉积过渡层、表面层，得到TiNTiCN的类玫瑰金复合膜，其中，打底层为纯Ti层，过渡层为TiN层，表面层为TiCN层； 具体包括以下步骤： 1在基底上使用Ti靶进行中频磁控溅射沉积打底层； 2在打底层上使用Ti靶在N2中，通过复合磁控溅射技术沉积过渡层； 3在过渡层上使用Ti靶在C2H2和N2中，通过复合磁控溅射技术沉积表面层，得到TiNTiCN的类玫瑰金复合膜； 步骤2所述N2的气流量为160~210sccm；所述沉积的时间为10~50min； 步骤2所述Ti靶为Ti靶1和Ti靶2，其中Ti靶1接中频磁控溅射电源，Ti靶2接高功率脉冲磁控溅射电源；Ti靶1的电流为70~100A；Ti靶2的电流为90~120A； 步骤3所述Ti靶及Ti靶的电流同步骤2； 步骤3所述N2的气流量为10~30sccm，C2H2的气流量为8~40sccm；所述沉积的时间为15~40min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学;珠海中科先进技术研究院有限公司;珠海罗西尼表业有限公司;深圳市森泰金属技术有限公司，其通讯地址为：510640 广东省广州市天河区五山路381号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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