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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利集成电路标准单元的布局结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310280221.8，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权集成电路标准单元的布局结构是由曹玲玲设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路标准单元的布局结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种集成电路标准单元的布局结构，包括：设置于器件层的第一导电类型晶体管组和第二导电类型晶体管组；第一导电类型晶体管组与第二导电类型晶体管组沿第一方向间隔布置；设置于第一金属层的第一输入金属线和第一输出金属线，第一输入金属线以及第一输出金属线均与第一导电类型晶体管组和第二导电类型晶体管组电连接；第一输入金属线在器件层的正投影位于第一导电类型晶体管组和第二导电类型晶体管组之间；设置于第二金属层的第二输入金属线和第二输出金属线，第二输入金属线与第一输入金属线电连接，第二输出金属线与第一输出金属线电连接；第一金属层位于器件层与第二金属层之间。

本发明授权集成电路标准单元的布局结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路标准单元的布局结构，其特征在于，包括： 设置于器件层的第一导电类型晶体管组和第二导电类型晶体管组；所述第一导电类型晶体管组与所述第二导电类型晶体管组沿第一方向间隔布置； 设置于第一金属层的第一输入金属线和第一输出金属线，所述第一输入金属线以及所述第一输出金属线均与所述第一导电类型晶体管组和所述第二导电类型晶体管组电连接；所述第一输入金属线在所述器件层的正投影位于所述第一导电类型晶体管组和所述第二导电类型晶体管组之间； 设置于第二金属层的第二输入金属线和第二输出金属线，所述第二输入金属线与所述第一输入金属线电连接，所述第二输出金属线与所述第一输出金属线电连接； 所述第一金属层位于所述器件层与所述第二金属层之间； 所述第一导电类型晶体管组包括多个沿第二方向布置的第一晶体管；所述第二导电类型晶体管组包括多个沿第二方向布置的第二晶体管；所述第一方向与所述第二方向相正交； 所述器件层包括有源层和栅极层； 多个所述第一晶体管的源极区及漏极区位于所述有源层，栅极位于所述栅极层；多个所述第一晶体管的栅极通过位于栅极层的第一栅极连接线连接； 多个所述第二晶体管的源极区及漏极区位于所述有源层，栅极位于所述栅极层；多个所述第二晶体管的栅极通过位于栅极层的第二栅极连接线连接； 所述第一输入金属线包括多条沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔排布的第一输入子金属线，以及沿所述第二方向延伸的第一输入金属连接线； 每条所述第一输入子金属线的一端在所述栅极层的投影与所述第一栅极连接线交叠，另一端在所述栅极层的投影与所述第二栅极连接线交叠； 多条所述第一输入子金属线通过多个第一过孔与所述第一栅极连接线和所述第二栅极连接线连接。

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