国网福建省电力有限公司电力科学研究院;国网福建省电力有限公司;南京南瑞半导体有限公司陈伟铭获国家专利权
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龙图腾网获悉国网福建省电力有限公司电力科学研究院;国网福建省电力有限公司;南京南瑞半导体有限公司申请的专利一种沟槽型SiC MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410833732.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种沟槽型SiC MOSFET器件是由陈伟铭;陈石川;范元亮;李泽文;黄兴华;林建利;李凌斐;王健;张延辉;朱郑允;高明阳;王谦;骆健设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽型SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种沟槽型SiCMOSFET器件，通过在沟槽型SiCMOSFET引入集成肖特基二极管区域及双极型电流增强区域，有效降低器件反向导通时的开启电压，并同时增强器件反向导通高密度双极型电流的浪涌能力。本发明的器件结构和制备简单，与传统沟槽型SiCMOSFET制备工艺兼容，可实现高性能、批量化的沟槽型SiCMOSFET器件生产。
本发明授权一种沟槽型SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型SiCMOSFET器件，其特征在于，包括： 第一掺杂类型的重掺杂的衬底； 第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层，位于所述衬底的上表面； 第一源极沟槽、栅极沟槽、第二源极沟槽，间隔开设于所述第一外延层上； 第二掺杂类型的阱区，位于所述第一外延层上、栅极沟槽的两侧； 第一掺杂类型的源区，位于所述阱区上； 第二掺杂类型的接触区，位于所述第一外延层上，并且位于阱区与第一源极沟槽之间或位于阱区与第二源极沟槽之间； 栅介质层，位于所述栅极沟槽的内表面； 第一掺杂类型的多晶硅层，位于所述栅介质层上，填充所述栅极沟槽； 源极欧姆接触层，位于所述第一掺杂类型的源区和第二掺杂类型的接触区的上表面； 肖特基接触层，位于所述第一源极沟槽中、第一外延层上； 漏极欧姆接触层，位于所述衬底的下表面； 双极型电流增强区域，位于所述第二源极沟槽中、第一外延层上； 双极型电流增强区域接触层，位于所述双极型电流增强区域上、第二源极沟槽中。
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