广东工业大学李艺娟获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种激光诱导氟掺杂石墨烯阵列的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410840994.1，技术领域涉及：H01M4/66；该发明授权一种激光诱导氟掺杂石墨烯阵列的制备方法及其应用是由李艺娟;肖宏;李星宇;陈玮昭;黄少铭设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光诱导氟掺杂石墨烯阵列的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于石墨烯电极材料技术领域，具体涉及一种激光诱导氟掺杂石墨烯阵列的制备方法及其应用。本发明先将一层聚酰亚胺PI膜贴于铜箔上，再将一层聚四氟乙烯PTFE膜贴于PI表面，然后对双层高分子聚合物膜进行两次激光处理，通过激光诱导形成氟掺杂石墨烯F‑LIG阵列，最终得到由铜箔、PI柱和F‑LIG组成的氟掺杂石墨烯阵列。本发明制备氟掺杂石墨烯的方法简便，可在常温常压和环境气氛下一步生成氟掺杂石墨烯阵列F‑LIG阵列；同时，制得的F‑LIG阵列可作为锂金属电池负极的宿主材料，使制备的锂金属电池具有成核过电位低，循环稳定性好，倍率性能优异等优点。
本发明授权一种激光诱导氟掺杂石墨烯阵列的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种激光诱导氟掺杂石墨烯阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将铜箔集流体覆盖在衬底上，然后将聚酰亚胺PI膜贴于铜箔上，再将聚四氟乙烯PTFE膜贴于PI上，形成PTFE-PI复合膜； S2、对PTFE-PI复合膜进行加工深度为100%的逐行逐列激光划线，使划线部分的PTFE-PI复合膜转化为激光诱导氟掺杂石墨烯F-LIG，剩余未被加工的PTFE-PI复合膜则被划线分割为多个PTFE-PI柱，从而形成预处理激光诱导氟掺杂石墨烯阵列p-F-LIG-a； S3、对p-F-LIG-a表面所有区域进行加工深度为50-70%的等间隔逐行激光划线，利用激光能量将PTFE-PI柱上部转化为F-LIG，得到由铜箔、PI柱和F-LIG组成的激光诱导氟掺杂石墨烯阵列F-LIG-a。
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