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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;清华大学申请的专利锗硅异质结双极晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411187905.4，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权锗硅异质结双极晶体管及其制造方法是由付军;赵悦;郑凯;周亦康设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本锗硅异质结双极晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件及集成电路工艺设计和制造领域。本申请提供的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，能够达到露出所述多晶硅外基区部分侧壁从而为后续与锗硅外延内基区同步生长的锗硅连接基区腾出必要空间的目的，并实现能够有效改善器件性能的凹陷锗硅连接基区结构，且本申请提供的锗硅异质结双极晶体管可以采用工艺难度和复杂度相对较低的工艺步骤制造，规避了背景技术中采用的很难控制的利用底部狭缝“掏底”各向同性腐蚀氮化硅侧墙的工艺步骤，从而可以有效改善相关集成电路工艺生产的重复性、均匀性、可控性和可生产性。

本发明授权锗硅异质结双极晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种锗硅异质结双极晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 导电类型与衬底相反的重掺杂硅集电区，形成在所述衬底上侧； 场区介质层，形成在所述衬底上侧； 第一氧化硅层，形成在所述重掺杂硅集电区和所述场区介质层上侧； 导电类型与重掺杂硅集电区相同的硅外延集电区，形成在所述重掺杂硅集电区上侧； 导电类型与重掺杂硅集电区相反的重掺杂多晶硅外基区，形成在所述第一氧化硅层上； 导电类型与多晶硅外基区相同的锗硅基区，包括锗硅外延内基区和锗硅连接基区，所述锗硅外延内基区形成在所述硅外延集电区上侧，所述锗硅连接基区形成在所述第一氧化硅层上侧且在所述锗硅外延内基区和所述多晶硅外基区之间； 第二氧化硅层，形成在所述多晶硅外基区和氮化硅层之间； 氮化硅层，形成在所述第二氧化硅层和多晶硅发射区之间； 氮化硅内侧墙，形成在所述锗硅连接基区上侧； L形氧化硅内侧墙，形成在所述锗硅外延内基区上侧和所述氮化硅内侧墙的内侧和上侧； 导电类型与重掺杂硅集电区相同的重掺杂多晶硅发射区，形成在所述氮化硅层、L形氧化硅内侧墙以及锗硅外延内基区的上侧； 导电类型与多晶硅发射区相同的重掺杂单晶发射区，形成在所述L形氧化硅内侧墙之间的所述锗硅外延内基区中；其中， 所述第一氧化硅层靠近所述硅外延集电区和多晶硅外基区处形成有一凹陷结构，所述锗硅连接基区形成在所述第一氧化硅层的凹陷结构上侧。

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