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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008707B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411100970.9，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法是由马杰;张龙;彭麒维;孙伟锋;时龙兴设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法在说明书摘要公布了：一种常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法，器件包括在N型衬底上生长N型漂移区，在N型漂移区内有第一、第二P型阱掺杂区与第一N型阱掺杂区，其中分别有第一、第二P型高掺杂注入区与第二N型高掺杂注入区，在第一与第二P型阱掺杂区间有第一N型高掺杂注入区并形成背靠背的PN结，在N型漂移区上方形成氧化介质引出金属源、漏、栅电极，第一N型高掺杂区下方形成有特征结构，其中包含第一、第二P型埋层，并与第一、第二P型阱掺杂区形成常关型特征左、中、右沟道；方法是在N型衬底上生长外延层，在外延层中进行离子注入形成不同类型低掺杂阱，在不同类型阱中分别离子注入形成高掺杂区域，高温热退火后，生长层间介质并刻蚀、淀积引出电极。

本发明授权一种常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种常关型碳化硅高压JFET器件，包括：N型衬底001，在N型衬底001上设有N型漂移区002，在N型漂移区002上有第一P型阱掺杂区003、第二P型阱掺杂区004、第一N型阱掺杂区005，在第一P型阱掺杂区003内有第一P型高掺杂注入区111，在第二P型阱掺杂区004内有第二P型高掺杂注入区113，在第一P型阱掺杂区003与第二P型阱掺杂区004之间有第一N型高掺杂注入区112，并且，第一N型高掺杂注入区112的两端分别延伸并触及第一P型阱掺杂区003与第二P型阱掺杂区004，在第一N型阱掺杂区005内有第二N型高掺杂注入区114，在N型外延上依次设有第一层氧化层介质006与第二层氧化层介质007，在第一N型高掺杂注入区112引出金属电极并作为源极01S，在第二N型高掺杂注入区114引出金属电极并作为漏极01D，在第一P型高掺杂注入区111与第二P型高掺杂注入区113引出金属电极并作为栅极01G，所述第一P型阱掺杂区003与第二P型阱掺杂区004分别与第一N型高掺杂注入区112构成背连背的PN结，其特征在于，在第一N型高掺杂注入区112下方的N型漂移区002区域内设有第一P埋层031和第二P埋层032且第一P埋层031与第二P埋层032被N型漂移区002隔离，所述第一P埋层031与第一P型阱掺杂区003电连接以使其具有相同电位，所述第二P埋层032与第二P型阱掺杂区004电连接以使其具有相同电位； 在常态下的器件处于关断状态，源极01S与栅极01G接零电位电压，第一P型阱掺杂区003、第二P型阱掺杂区004、第一P埋层031以及第二P埋层032电位为零，位于第一P型阱掺杂区003与第一P埋层031之间的N型漂移区002、位于第一P埋层031与第二P埋层032之间的N型漂移区002，以及，位于第二P埋层032与第二P型阱掺杂区004之间的N型漂移区002处于耗尽状态，使得导通沟道021处于关断状态； 当器件处于开启状态时，源极01S接零电位电压，栅极01G接正电压，漏极01D外接高电位电压，接正电压的栅极01G使得位于第一P型阱掺杂区003与第一P埋层031之间的N型漂移区002、位于第一P埋层031与第二P埋层032之间的N型漂移区002，以及，位于第二P埋层032与第二P型阱掺杂区004之间的N型漂移区002导通。

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